1. Kukurudziak M. S. 1064 nm wavelength pin photodiode with low influence of periphery on dark currents. Journal of nano- and electronic physics. 2022. Vol. 14, No. 1. P. 01023-1 – 01023-4. https://doi.org/10.21272/jnep.14(1).01023 (Scopus).
2. Kukurudziak M. S. Formation of dislocations during phosphorus doping in the technology of silicon p-i-n photodiodes and their influence on dark currents. Journal of nano- and electronic physics. 2022. Vol. 14, No. 4. P. 04015-1 – 04015-6. https://doi.org/10.21272/jnep.14(4).04015(Scopus).
3. Kukurudziak M. S. Diffusion of phosphorus in technology for manufacturing silicon p-i-n photodiodes. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2022. Vol. 25, No. 4. P. 385-393. https://doi.org/10.15407/spqeo25.04.385 (WoS, Scopus).
4. Kukurudziak M. S. Influence of surface resistance of silicon p-i-n photodiodes n+-layer on their electrical parameters. Physics and chemistry of solid state. 2022. Vol. 23, No. 4. P. 756-763. https://doi.org/10.15330/pcss.23.4.756-763 (WoS, Scopus).
5. Kukurudziak M. S. Problems of Masking and Anti-Reflective SiO2 in Silicon Technology. East European Journal of Physics. 2023. No. 2. P. 289-295. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-2-33 (WoS, Scopus).
6. Kukurudziak M. S. Isolation of Responsive Elements of Planar Multi-Element Photodiodes. East European Journal of Physics. 2023. No. 3. P. 434-440. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-48 (WoS, Scopus).
Кукурудзяк М. С. Дослідження морфології макропористого Si, одержаного металом стимульованим щавленням за допомогою Au. Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. 2023. Т. 21, №. 3. С. 605-616. https://doi.org/10.15407/nnn.21.03.605 (Scopus).
8. Kukurudziak M. S., & Lipka V. M. Influence of silicon characteristics on the parameters of manufactured photonics cells. East European Journal of Physics. 2023. No. 4. P. 197-205. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-4-24 (WoS, Scopus).
9. Kukurudzіak M. S. The influence of the structure of guard rings on the dark currents of silicon p-i-n photodiodes. Physics and Chemistry of Solid State. 2023. Vol. 24, No. 4. P. 603-609. https://doi.org/10.15330/pcss.24.4.603-609 (WoS, Scopus).
10. Kukurudziak M. S., & Maistruk E. V. Study of the Charge Carrier Collection Coefficient of Silicon p-i-n Photodiodes. East European Journal of Physics. 2024. No. 1. P. 386-392. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-39 (Scopus Q3; WoS).
11. Kukurudziak M. S. Effect of Structural Defects on Parameters of Silicon Four-Quadrant p-i-n Photodiodes. East European Journal of Physics. 2024. No. 2. P. 345-352. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-2-41 (Scopus Q3; WoS)
12. Kukurudziak M. S., Lipka, V. M., & Ryukhtin, V. V. Silicon p-i-n Mesa-Photodiode Technology. East European Journal of Physics. 2024. No. 3 P. 385-389. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-3-47 (Scopus Q3; WoS).
13. Kukurudziak M. S., Maistruk E. V., & Koziarskyi I. P. Influence of Boron Diffusion on Photovoltaic Parameters of n+-p-p+ Silicone Structures and Based Photodetectors. East European Journal of Physics. 2024. No. 4. P. 289-296. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-4-31 (Scopus Q3; WoS).
14. Kukurudziak M. S., & Ryukhtin V. V. Methods of Correction of Spectral Characteristics of Silicon Photodetectors. East European Journal of Physics. 2025. No. 1. P. 290-294. https://doi.org/290-294. 10.26565/2312-4334-2025-1-34 (Scopus Q3; WoS).
15. Kukurudziak M. S., & Maistruk E. V. Influence of chromium sublayer on silicon P-I-N photodiodes responsivity. Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering: Fifteenth International Conference on Correlation Optics. 2021, December. Vol. 12126. P. 511-518. https://doi.org/10.1117/12.2616170. ISSN: 0277-786X. (WoS, Scopus).
16. Kukurudziak M. S., & Maistruk E. V. High-responsivity silicon p–i–n mesa-photodiode. Semiconductor Science and Technology. 2023. Vol. 38, No. 8. P. 085007. https://doi.org/10.1088/1361-6641/acdf14 (WoS; Scopus Q2).
17. Kukurudziak M. S. A method of increasing the interquadrant resistance of four-quadrant p-i-n photodiodes. Journal of Instrumentation. 2024. Vol. 19, No. 9, P. P09006. https://doi.org/10.1088/1748-0221/19/09/P09006. (WoS, Scopus Q3).
18. Kukurudziak M. S., Maistruk E. V., Yatskiv R., Koziarskyi I. P., & Koziarskyi D. P. Silicon p-i-n photodiode with reduced crystallographic defect density and structured surface. Journal of Physics D: Applied Physics. 2025. Vol. 58, No. 16. P. 165106. https://doi.org/10.1088/1361-6463/adbd4d (WoS, Scopus Q2).
19. Кукурудзяк М. С. Вплив хімічної обробки на товщину просвітлюючого SiO2 в кремнієвій технології. Напівпровідникові матеріали, інформаційні технології та фотовольтаїка: тези доповідей на VIІ Міжнародній науково-практичній конференції: 14-16 травня, 2022 р. Кременчук, 2022. С. 18-19. URL: https://drive.google.com/file/d/1l6LZMdaehKpjnbeE9BEoZapmBXCXq_QL/view
20. Кукурудзяк М. С. Дослідження спектральної характеристики чутливості p-i-n фотодіодів. Перспективні напрямки сучасної електроніки, інформаційних і комп'ютерних систем (MEICS-2022). Тези доповідей на VII Всеукраїнській науково-практичній конференції: 23-25 листопада 2022 р., м. Дніпро, 2022. С. 155-156. URL: http://meics.dnure.dp.ua/files/MEICS-2022.pdf
21. Кукурудзяк М. С. Метод оцінки часу життя неосновних носіїв заряду кремнієвих p-i-n фотодіодів. Перспективні напрямки сучасної електроніки, інформаційних і комп'ютерних систем (MEICS-2023). Тези доповідей на VIII Всеукраїнській науково-практичній конференції: 22-24 листопада 2023 р., м. Дніпро, 2023. С. 191-192. URL: http://meics.dnure.dp.ua/files/MEICS-2023.pdf
22. Кукурудзяк М. С. Залежність параметрів напівпровідникових приладів від їх розміщення на підкладці. Інформаційні технології: наука, техніка, технологія, освіта, здоров’я: тези доповідей ХXХІ міжнародної науково-практичної конференції MicroCAD-2023, 17–20 травня 2023. Харків : НТУ «ХПІ». С. 191-192. URL: https://repository.kpi.kharkov.ua/items/ea5b83c5-0561-47cb-a4d0-67aacd51c994
23. Кукурудзяк М. С., Кукурудзяк А. М. Дефектоутворення на поверхні кремнієвих підкладок при термічному напиленні золота. Сучасні інформаційні та електронні технології: труди XXІV міжнародної науково-практичної конференції «СІЕТ-2023», 29-31 травня, 2023 р. Одеса, 2023. С. 101-102. URL: https://old.tkea.com.ua/siet/archive/2023/01.pdf
24. Кукурудзяк М. С. Кремнієвий p-i-n фотодіод із зниженою кількістю поверхневих структурних дефектів. Збірник тез конференції молодих вчених з фізики напівпровідників «Лашкарьовські читання – 2023» з міжнародною участю, Київ, 4-5 квітня 2023 року. Україна. С. 51-52. URL: https://sci.ldubgd.edu.ua/jspui/bitstream/123456789/12751/1/22.pdf
25. Kukurudziak M. S. Isolation of responsive elements of coordinate p-i-n photodiodes by p + -layer. Proceedings of the 51th International School & Conference on the Physics of Semiconductors «Jaszowiec 2023»: June 17–23, 2023. Szczyrk, Poland, 2023. P. 264. URL: https://www.jaszowiec.edu.pl/2023/
26. Кукурудзяк М. С. Утворення макропористого кремнію металостимульованим травленням за допомогою Cr. 9-та Українська наукова конференція з фізики напівпровідників: матеріали конференції. – Ужгород: ТОВ "Рік-У", 2023. С. 324-325. URL: https://drive.google.com/file/d/1M968vAoavH5bL16QUgsM5M9K7VmHaop3/view
27. Кукурудзяк М. С. Фотодіод з абсорбційним кремнієвим фільтром. ІХ Всеукраїнська науково-практична конференція «MEICS-2024»: Перспективні напрямки сучасної електроніки, інформаційних і комп'ютерних систем, 27-29 листопада, 2024 р. Дніпро, 2024. С. 237-238. URL: http://meics.dnure.dp.ua/files/MEICS-2024.pdf
