Костюкевич О. М. Вплив перехідних процесів на формування адсорбційного відгуку сенсорних структур на основі наноматеріалів

Дисертацію присвячено дослідженню фізико-хімічних особливостей формування адсорбційного струмового, ємнісного та опорового відгуків у газочутливих контактах метал-напівпровідник із тонкими проміжними плівками ITO (оксиду індію-олова), гетероструктур на основі шарів оксидів титану, цинку, індію-олова, кремнієвих фотоелектричних перетворювачів, поруватих вільних шарів карбіду кремнію (SiC), а також вивченню впливу перехідних процесів за участі пасткових рівнів на адсорбційну чутливість вище означених напівпровідникових структур та можливості застосування селективних параметрів цих перехідних процесів для дискримінації хімічних сполук або формування нюхового образу газового середовища. В роботі на основі аналізу адсорбційно-стимульованих змін вольтамперних характеристик вперше показано, що причиною зростання зворотного струму крізь перехід p-Si/Ni із нанорозмірною плівкою ITO під впливом адсорбції молекул етилового та ізопропілового спиртів при постійній прикладеній напрузі є фізичний ефект зменшення висоти потенціального бар’єра у оксидній плівці, зумовлений зміною потенціалу сил дзеркального зображення, що діють на неосновні носії заряду у переході. Сама ж зміна потенціалу сил дзеркального зображення є обумовленою варіаціями діелектричної проникності плівки внаслідок адсорбції та подальшої міграції молекул аналіту у її об’єм.