Оберемок О. С. Мас-спектрометричний аналіз фазо-структурних трансформацій нано-об’єктів при іонному опроміненні
English versionДисертація на здобуття ступеня доктора наук
Державний реєстраційний номер
0525U000389
Здобувач
Спеціальність
- 01.04.07 - Фізика твердого тіла
17-09-2025
Спеціалізована вчена рада
Д 26.199.01
Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Анотація
Дисертацію присвячено вивченню просторових, структурних та фазових змін нанорозмірних об’єктів у твердому тілі під дією пучків прискорених іонів у процесах мас-спектрометричного аналізу та іонної імплантації. Мета роботи полягає у встановленні умов взаємодії іонних зондів з поверхнею, придатних для визначення фізичних характеристик низки актуальних нанорозмірних об’єктів. Перший розділ присвячено аналізу модифікації поверхні під дією прискорених іонів різних енергій і типів. Встановлено два енергетичні пороги взаємодії іонів з поверхнею твердого тіла, що визначають достовірність глибинного профілювання основних елементів та домішок. Енергії вище першого порогу спричиняють критичне розмиття профілів у багатошарових періодичних нанорозмірних структурах (БПНС), унеможливлюючи точне калібрування шарів рівної товщини по глибині. Зниження енергії зменшує атомне перемішування, а при енергіях нижче другого порогу формується нанорельєф, що погіршує глибинну роздільну здатність. Оптимальна енергія, за якої врівноважуються ефекти перемішування та розвитку нанорельєфу, забезпечує достовірне визначення форми профілів, товщин шарів і визначає фізичну межу відтворення просторового розподілу елементів і домішок у наноструктурах. Другий розділ присвячено розробці нової фізичної моделі взаємодії низько-енергетичних іонів з нано-розмірними об’єктами під час аналізу методом мас-спектрометрії вторинних нейтральних частинок. Запропоновано нову методику низько-енергетичного мас-спектрометричного аналізу розподілу концентрацій основних елементів і домішок у БПНС. Розроблено універсальний підхід до оптимізації умов послідовного розпилення пар шарів різних матеріалів нанометрової товщини на прикладі багатошарової наноструктури Mo/Si. Третій розділ присвячено дослідженню механізмів деградації Mo/Si БПНС, що використовуються як дифракційні надґратки. Вперше встановлено, що однією з причин погіршення відбивних властивостей рентгенівських дзеркал під час тривалого нагрівання при температурах, близьких до 0,212 температури плавлення кремнію, є кристалізація границі розділу з утворенням подвійної надґратки, центр якої збагачений гетерованим киснем. Іншою причиною деградації є виникнення випадкових локальних областей дифузії атомів кремнію та кисню через границю розділу вглиб шарів молібдену. Четвертий розділ розглядає вплив механічних напружень на швидкість розпилення БПНС. Вперше показано, що підвищення коефіцієнта розпилення зовнішніх шарів у сильно напружених БПНС під дією іонного пучка обумовлене формуванням деформаційно-стимульованих потоків слабко зв’язаних атомів. Через малу товщину шарів (5–10 нм) джерело таких атомів швидко вичерпується, що призводить до зростання локальної швидкості розпилення в межах окремого шару. П’ятий розділ присвячено вивченню перерозподілу залишкового кисню в об’ємі кремнієвих пластин Чохральського під час формування надмілких n/p-переходів, створених імплантацією As або Sb. Вперше виявлено, що імплантація As спричиняє прискорену дифузію та гетерування залишкового кисню в зоні імплантації, що стимулює ріст оксидної плівки на поверхні, на відміну від випадку Sb. Запропоновано модель, яка пояснює цю різницю особливостями полів механічних напружень і механізмами дифузії домішок. Шостий розділ спрямовано на усунення структурних недосконалостей стовпчастих наноплівок ZnO, синтезованих за кімнатної температури. Встановлено порогову товщину кристалізації ZnO (~50 нм) і показано, що іонна імплантація рідкісноземельних елементів (РЗЕ) істотно покращує кристалічність. Запропоновано масозалежний механізм кристалізації, зумовлений радіаційним нагрівом. Досліджено відмінності температур виходу РЗЕ за межі ґратки ZnO під час відпалу, а також продемонстровано покращення фоточутливості та електричних характеристик гетеропереходів ZnO/Si, синтезованих за кімнатної температури. Дисертаційна робота має комплексний характер, поєднує експериментальні та теоретичні підходи, і вперше встановлює низку фізичних механізмів, що визначають просторову роздільну здатність, стабільність і структурну досконалість нанорозмірних об’єктів під дією іонних пучків.
Публікації
1. Романюк, Б.Н., Мельник, В.П., Попов, В.Г., Оберемок, А.С., Ефремов, А.А., Масс-спектрометрический послойный анализ нейтральних частиц для количественного определения элементного состава наноразмерных структур, В кн.: Наноразмерные системы и наноматериалы: исследования в Украине / Редкол.: Наумовец А.Г. (глав. ред.); НАН Украины. – К. : Академпериодика, 2014. – 768 с.; С.266-271
2. Korbutyak, D.V., Lytvyn, O.S., Fedorenko, L.L., Matiuk, I.M., Kolomys, O.F., Oberemok, O.S., Kulbachynskyi, O.A., Pylypova, O.V., Evtukh, A.A. (2024). Photoluminescence spectra of nanocrystalline ZnO films obtained by magnetron deposition technique. Journal of Materials Science: Materials in Electronics 35, 583 doi:10.1007/s10854-024-12349-2
3. Oberemok, O., Kladko, V., Melnik, V., Dubikovskyi, O., Kosulya, O., Gudymenko, O., Romanyuk, B., Maksimenko, Z., Sabov, T., Kolomys, O. (2023). Ho and Nd ion beam modifications of ZnO thin films. Materials Chemistry and Physics, 301, 127669. doi:10.1016/j.matchemphys.2023.127669
4. Lisovskyy, I., Voitovych, M., Sarikov, A., Zlobin, S., Lukianov, A., Oberemok, O., Dubikovsky, O. (2023). Infrared study of the structure of silicon oxynitride films produced by plasma enhanced chemical vapor deposition. Journal of Non – Crystalline Solids, 617, 122502. doi:10.1016/j.jnoncrysol.2023.122502
5. Oberemok, O., Sabov, T., Dubikovskyi, O., Kosulya, O., Melnik, V., Romanyuk, B., Popov, V., Liubchenko, O., Kladko, V., Zubarev, E., Pershyn, Y. (2021). The elemental composition mixing in a Mo/Si multilayer structure under overheating. Materials Today: Proceedings, 35, 4, 579—583. doi: 10.1016/j.matpr.2019.11.018
6. Korsunska, N., Borkovska, L., Khomenkova, L., Sabov, T., Oberemok, O., Dubikovsky, O., Zhuchenko, Z.Ya., Zolotovsky, A., Demchenko, I.N., Syryanyy, Y., Guillaume, C., Labbe, C., Portier, X. (2020) Redistribution of Tb and Eu ions in ZnO films grown on different substrates under thermal annealing and its impact on Tb -Eu energy transfer. Applied Surface Science, 528, 146913. doi:10.1016/j.apsusc.2020.146913
7. Borkovska, L., Khomenkova, L., Markevich, I., Osipyonok, M., Kolomys, O., Rarata, S., Oberemok O., Gudymenko O., Kryvko A., Strelchuk, V. (2018). The Effect of High Temperature Annealing on the Photoluminescence of ZnMgO Alloys. Physica Status Solidi (a), 215, 19, 1800250. doi:10.1002/pssa.201800250
8. Nikolenko, A.S., Strelchuk, V.V., Safriuk, N.V., Kryvyi, S.B., Kladko, V.P., Oberemok, O.S., Borkovska, L.V., Sadofyev, Yu.G. (2016). Structural and optical studies of strain relaxation in Ge1-XSnX layers grown on Ge/Si(001) by molecular beam epitaxy, Thin Solid Films, 613, 68-74, doi:10.1016/j.tsf.2015.10.065
9. Oberemok, O., Kladko, V., Litovchenko, V., Romanyuk, B., Popov, V., Melnik, V., Sarikov, A., Gudymenko, O., Vanhellemont, Jan. (2014). Stimulated Oxygen Impurity Gettering under Ultra-Shallow Junction Formation in Silicon. Semiconductor Science and Technology, 29, 5, 055008. doi:10.1088/0268-1242/29/5/055008.
10. Korsunska, N, Khomenkova, L, Kolomys, O, Strelchuk, V, Kuchuk, A, Kladko, V, Stara, T, Oberemok, O, Romanyuk, B, Marie, P, Jedrzejewski, J, Balberg, I. (2013). Si-rich Al2O3 films grown by RF magnetron sputtering: structural and photoluminescence properties versus annealing treatment. Nanoscale Research Letters, 8, 273. doi:10.1186/1556-276X-8-273.
11. Nadtochiy, A., Podolian, A., Korotchenkov, O., Oberemok, O., Kosulya, O., Romanyuk, B. (2025). Ultrasonically Assisted Fabrication of Graphene/ZnO Nanocomposites with Accelerated Ultraviolet Photoresponse. Journal of Nano- and Electronic Physics, 17, 1, 01028. doi:10.21272/jnep.17(1).01028.
12. Nadtochiy, A., Podolian, A., Korotchenkov, O., Oberemok, O., Kosulya, O., Romanyuk, B. (2024). Equivalent Circuit Model to Reach Complicated Surface Photovoltage Transient Shapes in ZnO Thin Films. Journal of Nano- and Electronic Physics. 16, 2, 02023. doi:10.21272/jnep.16(2).02023.
13. Zubarev, Ye. M., Samofalov, V. M., Devizenko, O. Yu., Kondratenko, V. V., Sevriukov, D. V., Sevryukova, V. A., Mamon, V. V., Khramova, T. I., Sabov, T. M., Dubikovskyi, O. V., Oberemok, O. S., Kosulia, O. V. (2020). Explosive Crystallization of Amorphous Cobalt Films in a Strong Nonuniform Magnetic Field. Metallophysics and Advanced Technologies, 42, 1, 33-49. doi:10.15407/mfint.42.01.0033
14. Zubarev, E. N., Devizenko, O. Yu., Kondratenko, V. V., Sevriukov, D. V., Sevryukova, V. A., Garbuz, O. S., Sabov, T. M., Dubikovskyi, O. V., Oberemok, O. S., Melnik, V. P. (2018). Explosive Crystallization of Films of Amorphous Cobalt on a Sublayer of Carbon, Metallophysics and Advanced Technologies, 40, 3, 359-379. doi: 10.15407/mfint.40.03.0359
15. Єфремов, О.О., Литовченко, В.Г., Мельник, В.П., Оберемок, О.С., Попов, В.Г., Романюк, Б.М. (2015). Механізми модифікації профілів розподілу домішок при мас-спектрометричному аналізі багатошарових наноструктур, Український фізичний журнал, 60, 6, 512-521. doi:10.15407/ujpe60.06.0511
16. Litovchenko, V., Romanyuk, B., Oberemok, O., Popov, V., Melnik, V., Rudenko, K., Vyurkov, V. (2014). Peculiarities of the Impurity Redistribution Under Ultra-Shallow Junction Formation in Silicon. Advanced Materials Research, 854, 141-145. doi:10.4028/www.scientific.net/amr.854.141
17. Oberemok, O., Kladko, V., Litovchenko, V., Romanyuk, B., Popov, V., Melnik, V., & Vanhellemont, J. (2014). Oxygen gettering in low-energy arsenic or antimony ion implanted Cz-silicon. Physica Status Solidi (C), 11, 11 – 12, 1634–1639. doi:10.1002/pssc.201431562.
18. Pershin, Ju.P., Sevrjukova, V.A., Zubarev, E.N., Oberemok, A.S., Melnik, V.P., Romanjuk, B.N., Popov, V.G., Litvin, P.M. (2013). Investigation of the Phase Interfaces in Periodic Multilayer Mo/Si Structures, Using the Method of Mass-Spectrometry of Neutral Particles. Metallophysics and advanced technologies, 35, 12, 1617-1627. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000521434
19. Gamov, D.V., Gudymenko, O.I., Kladko, V.P., Litovchenko, V.G., Melnik, V.P., Oberemok, O.S., Popov, V.G., Polishchuk, Yu.O., Romaniuk, B.M., Chernenko, V.V., Naseka, V.M. (2013). Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions. Ukrainian journal of physics, 58, 9, 881-887. doi:10.15407/ujpe58.09.0881
20. Litovchenko, V.G., Romanyuk, B.M., Popov, V.G., Melnyk, V.P., Oberemok, O.S., Klad’ko, V.P., Lisovskyy, I.P., Strelchuk, V.V., Chernenko, V.V., and Shapovalov, V.O. (2011). Complex Investigations of Crystalline Material for Solar Power Engineering. Metallophysics and Advanced Technologies, 33, 873-898.
21. Litovchenko, V., Romanyuk, B., Melnik, V., Kladko, V., Popov, V., Oberemok, O. Khatsevich, I. (2011). Stimulated creation of the SOI structures with Si nanoclusters by low-dose SIMOX technology. Solid State Phenomena, 178-179, 17-24, doi: 10.4028/www.scientific.net/SSP.178-179.17
22. Sarikov, A., Klimovskaya, A., Oberemok, O., Lytvyn, O., Stadnik, O. (2011). A Model of the Evolution of the Au/Si Droplet Ensembles during Rapid Thermal Annealing at High Temperatures. Advanced Materials Research, 276, 187-194, doi:10.4028/www.scientific.net/AMR.276.187
23. Romanyuk, B.N., Melnik, V.P., Popov, V.G., Khatsevich, I.M., Oberemok, A.S. (2010). Effect of high-temperature annealing on photoluminescence of silicon nanocluster structures. Semiconductors, 44, 4, 514 – 518. doi: 10.1134/S1063782610040184.
24. Gamov, D., Chatsevich, I., Litovchenko, V., Melnik, V., Oberemok, O., Popov, V., Romanyuk, B., Yukhymchuk, V. (2009). Influence of nitrogen impurity on photoluminescence of silicon nanoclusters in SiO2 matrix. Ukrainian Journal of Physics, 54, 4, 413-417.
25. Melnik, V., Romanyuk, B., Kladko, V., Popov, V., Gudymenko, O., Liubchenko, O., Sabov, T., Oberemok, O., Dubikovskyi, O., Gomeniuk, J.U., Kosulya, O., Shmid, V., Podolian, A., Nadtochiy, A., Korotchenkov, O. (2021). Formation and transient photovoltaic properties of ZnO/Si isotype heterojunctions by magnetron sputtering. In book: Fesenko O., Yatsenko L. (eds) Nanomaterials and Nanocomposites, Nanostructure Surfaces, and Their Applications. Springer Proceedings in Physics, 246. Springer, Cham doi:10.1007/978-3-030-51905-6_24.
26. Klimovskaya, A.I., Kalashnyk, Yu.Yu., Voroshchenko, A.T., Oberemok, O.C., Pedchenko, Yu.M., Lytvyn, P.M. (2018). Growth of silicon self-assembled nanowires by using gold-enhanced CVD technology, Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics, 21, 3, 282-287. doi:10.15407/spqeo21.03.282
27. Sabov, T.M., Oberemok, O.S., Dubikovskyi, O.V., Melnik, V.P., Kladko, V.P., Romanyuk, B.M., Popov, V.G., Gudymenko, O.Yo., Safriuk, N.V. (2017) Oxygen Ion-Beam Modification of Vanadium Oxide Films for the Formation of High Value of Resistance Temperature Coefficient, Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics, 20, 2, 153-158. doi: 10.15407/spqeo20.02.153
28. Kladko, V.P., Safriuk, N.V., Stanchu, H.V., Kuchuk, A.V., Melnyk, V.P., Oberemok, A.S., Kriviy, S.B., Maksymenko, Z.V., Belyaev, A.E., Yavich, B.S. (2014). Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 17, 4, 317-324. doi:10.15407/spqeo17.04.317
29. Oberemok, O.S., Litovchenko, V.G., Gamov, D.V., Popov, V.G., Melnik, V.P., Gudymenko, O.Yo., Nikirin, V.A., Khatsevich, І.M. (2011). Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layers. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 14, 3, 269-272. doi:10.15407/spqeo14.03.269.
30. Melnik, V., Misiuk, A., Popov, V., Oberemok, O., Romanjuk, B., Gamov, D., Formanek, P. (2007). Formation of Si3N4 Burried Layers in Silicon under the Action of Hydrostatic Pressure. Ukrainian Journal of Physics, 52, 1, 34-38.
31. Oberemok, O.S., Gamov, D.V., Litovchenko, V.G., Romanyuk, B.M., Melnik, V.P., Klad’ko, V.P., Popov, V.G., Gudymenko, O.Yo. (2013). Mechanism of oxygen redistribution during ultra-shallow junction formation in silicon, Proceedings of the International Conference “Nanomaterials: Applications and Properties”, 2, 1, 01PCSI14-1 - 01PCSI14-3 ( 16-21.09, 2013, Alushta, Ukraine).
32. Oberemok, O., Dubikovskyi, O., Melnik, V., Romanyuk, B., Gudymenko, O., Sabov, T., Kosulya, O., Popov, V., Kulbachynskyi, O., Peculiarities of ZnO nanorod array crystallization at ion implantation of rare-earth elements. Abstract Book of The International research and practice conference “Nanotechnology and nanomaterials” (NANO-2023). 16–19 August 2023, Bukovel. Edited byDr. Olena Fesenko. – Kyiv: LLC APF POLYGRAPH SERVICE, 2023. P. 448.
33. Мельник, В.П., Оберемок, О.С., Сабов, Т.М., Дубіковський, О.В., Косуля, О.В., Романюк, Б.М., Попов, В.Г., Кладько, В.П., Гудименко, О.Й. Формування наноструктурованих плівок NiO при іонно-променевих обробках. Нанорозмірні системи: будова, властивості, технології (НАНСИС-2019): Тези VI Наук. конф. (Київ, 4–6 грудня 2019 р.) p.26.
34. Oberemok, O.S., Sabov, T.M., Dubikovskyi, O.V., Kosulya, O.V., Melnik, V.P., Kladko, V.P., Romanyuk, B.M., Popov, V.G., Formation of ZnO/Si isotype heterojunction at room temperature, International research and practice conference: Nanotechnology and Nanomaterials (NANO-2019) 27 - 30 August 2019, Lviv Ukraine
35. Shmid, V., Podolian, A., Nadtochiy, A., Korotchenkov, O., Romanyuk, B., Oberemok, O., Sabov, T., Dubikovskiy, O., Transient surface photovoltage in nano-ZnO films sputtered onto Si substates, International research and practice conference: Nanotechnology and Nanomaterials (NANO-2019) 27 - 30 August 2019, Lviv Ukraine
36. Сабов, Т. М., Мельник, В. П., Дубіковський, О. В., Оберемок, О. С., Косуля, О. В.. Області застосування методів мас-спектрометрії вторинних іонів (ВІМС). Аналітична хімія - методи та інструменти : електронний збірник наукових праць за матеріалами Всеукраїнської наукової конференції (15-17 травня 2019 р.). – Ужгород: Вид-во УжНУ «Говерла», 2019. – 21 с.
37. Oberemok, O.C, Sabov, T.M, Dubikovskyi, O.V, Melnik, V.P, Romanyuk, B.M, Popov, V.G., Kosulya, O.V. Peculiarities of ВІМС analysis of interfaces in nanoscale Mo/Si multilayer periodic structures, Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems XVII International Conference (ICPTTFN-XVII). May 20-25, 2019, Ivano-Frankivsk, Ukraine. Abstract Book, p.38
38. Дубіковський, О., Косуля, О., Сабов, Т., Оберемок, О., Попов, В., Коваль, В., Душейко, М., Стрельчук, В., Коломис, О. Вплив рідкісноземельних елементів (РЗЕ) на фотолюмінесценцію в фото-перетворювачах на основі Si. Матеріали першої Міжнародної науково-практичної конференції «Елементи, прилади та системи електронної техніки (Elements, devices and systems of electronic technique)»(ЕDSET-2018) 14 - 16 листопада 2018 р. Запоріж., Україна, с.66-67
39. Оберемок, О.С., Сабов, Т.М., Дубіковський, О.В., Косуля, О.В., Мельник, В.П., Кладько, В.П., Романюк, Б.М., Попов, В.Г., Гудименко, О.Й. Формування ізотипного гетеропереходу ZnO/Si, Матеріали першої Міжнародної науково-практичної конференції «Елементи, прилади та системи електронної техніки (Elements, devices and systems of electronic technique)» (ЕDSET-2018) 14 - 16 листопада 2018 р. Запоріжжя, Україна, с.64-65
40. Melnik, V. P., Romanyuk, B. M., Kladko, V. P., Popov, V. G., Gudymenko, O. Yo., Liubchenko, O. I., Sabov, T. M., Oberemok, O. S., Dubikovskyi, O. V., Gomeniuk Ju.V. Electrical, structural and photoelectric features of thin ZnO:Al films on Si wafers, Materials of X International Conference «Topical problems of semiconductor physics», Truskavets, Ukraine, June 25 – 28, 2018, p.104-107
41. Оберемок, О.С., Сабов, Т.М., Дубіковський, О.В., Косуля, О.В., Мельник, В.П., Кладько, В.П., Романюк, Б.М., Попов, В.Г., Гудименко, О.Й., Сафрюк Н.В. , Оптичні та структурні особливості плівок оксидів перехідних металів модифікованих іонною імплантацією, 8-ма Міжнародна науково-технічна конференція “Сенсорна електроніка та мікросистемні технології” (СЕМСТ-8), Україна, Одеса, 28 травня – 1 червня 2018 р.Тези доповідей. Одеса, «Астропринт», с. 30
42. Sabov, T., Dubikovskyi, O., Oberemok, O., Melnik, V. Investigation of phase boundaries in Mo/Si periodic multilayer structures by SNMS method. 21st International Conference on Secondary Ion Mass Spectrometry - SIMS21, Kraków, Poland, from 10 till 15 September 2017
43. Oberemok, O.S., Sabov, T.M., Dubikovskyi, O.V., Melnik, V.P., Kladko, V.P., Romanyuk, B.M., Popov, V.G., Gudymenko, O.Yo., Safriuk, N.V. Formation of vanadium oxide films with a high resistance temperature coefficient by oxygen ion implantation, V International Research and Practice Conference "Nanotechnology and Nanomaterials" Nano-2017, 23 - 26 August 2017 Chernivtsi, Ukraine. Book of Abstracts, p.234
44. Babich, V.M., Popov, V.G., Romanyuk, B.M., Gudymenko, O.Yo., Kladko, V.P., Oberemok, O.S., Dubikovskyi, O.V., The influence of carbon and oxygen ion implantation on thermodonor generation in Cz and Fz p-Silicon layered structures, XVI International Conference on Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems (ICPTTFN-XVI) May, 15-20, 2017 Ivano-Frankivsk, Ukraine
45. Oberemok, O., Klad’ko, V., Litovchenko, V., Romanyuk, B., Popov, V., Melnik, V., Sarikov, A., Gudymenko, O., Vanhellemont, J., Stimulated Oxygen Impurity Gettering Under Ultra-Shallow Junction Formation in Silicon, EMRS 2014, Spring Meeting May 26-30, 2014, Lille, France Symposium X Abstract N° XP.8 18
46. Оберемок, О.С., Литовченко, В.Г., Романюк, Б.М., Мельник, В.П., Попов, В.Г., Кладько, В.П., Гудименко, О.Й., Гамов, Д.В. Механізм перерозподілу кисню при формуванні надмілких p-n переходів в кремнії, VI Українська наукова конференція з фізики напівпровідників, 30.09 – 4.10.2013 р., Чернівці, Україна. Тези доповідей, с.538-539
47. Oberemok, O.S., Lytovchenko, V.G., Melnyuk, V.P., Gudymenko, O.Yo., Oxygen Behavior Around Heavily Doped Ultra-Shallow Junction in Si, Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and properties, 1, 3, 03PCSI13 (2012) Alushta, the Crimea, Ukraine, September 17-22.
48. Melnik, V., Popov, V., Oberemok, O., Gamov, D., Lashkariov, V. Effect of Low-Temperature Treatments on Photoluminescence Enhancement of Ion-Beam Synthesized Si Nanocrystals in SiO2 Matrix Khatsevich І, ХІІ міжнародна конференція “Фізика і технологія тонких плівок та наносистем” (с. Гута, Україна, 18-23 травня 2009 р.)
Файли
Схожі дисертації
0425U000398
Сідак Василь Михайлович
Релаксаційні явища та структурні дефекти у кристалах натрій-бісмутового титанату
0525U000451
Дворниченко Аліна Василівна
Самоорганiзацiя адсорбату з формуванням нанорозмiрних структур при конденсацiї та епiтаксiї
0425U000325
Болясова Ольга Олександрівна
Квантові динамічні ефекти у двокомпонентних системах – антиферомагнетиках і двозонних надпровідниках
0525U000418
Терехов Андрій Валерійович
Електронні, магнітні та надпровідні властивості мультифункціональних матеріалів на основі перехідних та рідкісноземельних елементів
0525U000414
Братусь Олег Леонідович
Електронні процеси в нанокомпозитних плівках з кремнієвими та металевими наночастинками