Стрільчук О. М. Вивчення дефектних станів у напівізолюючому нелегованому арсеніді галію

Випромінювальна рекомбінація нерівноважних носії струму на дефектних станах, зумовлених залишковими домішками та дефектами гратки у напівізолююлюючому спеціально нелегованому GaAs. Мета - виявлення взаємодії дефектних станів між собою і з екситонами, та з'ясування дії на них термообробки по особливостям перебігу випромінювальної рекомбінації нерівноважних носіїв струму в напівізолюючому GaAs. Метод - дослідження спектрів фотолюмінесції кристалів з різним вмістом залишкових домішок у широкому температурному діапазоні при різних рівнях збудження. Встановлена значна взаємодія домішок між собою та з дефектами гратки, домішок з вільними екситонами. Визначена роль домішки вуглецю в утворенні дивакансій галію. Доведено, що смуга випромінювання з положенням максимуму 1.5133 еВ зумовлена випромінювальною рекомбінацію зв'язаного на іонізованому донорі екситона. Встановлено вплив термообробки при 900 С протягом 20-90 хв на домішковий склад досліджуваних зразків, зокрема, підвищення концентрації акцепторів і нем онотонну зміну концентрації донорів. Запропоновано безконтактний експресний метод визначення кількісного вмісту вуглецю, цинку та кремнію в напівізолюючому GaAs.