Пляка С. М. Перенос заряду в кристалах силенітів

Об'єкт дослідження - оптичні, електричні та фотоелектричні властивості кристалів силенітів. Мета роботи - визначення закономірностей переносу заряду в кристалах та плівках силенітів Bi12SiO20(BSO) и Bi12GeO20 (BGO). Методи досліджень - вольт-амперні характеристики, часо-пролітна методика, електропровідність, фотопровідність, оптичне поглинання. Встановлено, що рухомими темновими носіями заряду в кристалах силенітів є як електрони, так і дірки. Кристали сильно компенсовані. Варіюванням концентрації домішки 3-d елементів в досліджуваному матеріалі можна змінити ступінь компенсації, аж до перекомпенсації. введення ванадію приводить до просвітлення германосиленітів в області плеча поглинання (hv > 2.2 еВ). Спостерігається кореляція між величиною поглинання та ступенем компенсації: поглинання збільшується зі зростанням останньої. Досліджені оптичні та електричні властивості плівок силікосиленіта, отриманих золь-гель методом. на підставі якісного аналізу результатів виконаних досліджень зроблено висновок пр о можливість пояснення оптичних, електричних та фотоелектричних властивостей силенітів на основі моделі легованих компенсованих напівпровідників.