Поплавський Д. В. Електрон-фононна взаємодія в системах з локалізацією носіїв заряду

Дисертація присвячена дослідженню процесів електрон-фононної взаємодії в системі з сильно-локалізованими носіями (проміжно-легований n-Ge) та в двовимірному електронному газі, де присутні процеси слабкої локалізації (дельта-легований GaAs:Si). За результатами гальванічних та акустичних досліджень показано, що в германію, проміжно-легованому домішками Sb, присутня енергетична щілина порядку декількох меВ, яка монотонно змінюється з прикладенням одновісного тиску вздовж напрямку <111>. Запропоновано модель утворення домішкової D- зони, що адекватно описує результати наведених експериментів та дозволяє оцінити параметри зони. Результати гальваномагнітних вимірювань у зразках d-GaAs:Si дозволили визначити характер енергетичних втрат електронного газу та визначити пристосованість різних підходів до визначення температури (та енергетичних втрат) носіїв в даній системі. Сукупність результатів досліджень фононо-індукованої провідності вдалося надійно пояснити на основі запропонованої моделі "руйнування" слабко ї локалізації носіїв при поглинанні енергії акустичних фононів електронним газом. Проведено детальні розрахунки ефектів електрон-фононної взаємодії з урахуванням багатопідзонного характеру системи, що дали змогу дослідити процеси поглинання окремими підзонами та при різних умовах падіння фононів на двовимірний шар.