Карпова Л. М. Термоактиваційна спектроскопія кристалів Bi12SiO20, легованих іонами Cr і Mn.

Об'єкт - фоторефрактивні кристали Bi12SiO20 (BSO), леговані іонами Cr і Mn (BSO:Cr, BSO:Mn). Мета - визначення параметрів електрично активних дефектів та особливостей повільних поляризаційних явищ у кристалах BSO:Cr, BSO:Mn. Методи - термостимульована поляризація (ТСП), термостимульована деполяризація (ТСД) та температурно- частотні характеристики діелектричної проникністі. Вперше досліждено вплив легування іонами Cr і Mn на формування термо- і фотоелектретних станів (ТЕС і ФЕС) у кристалах Bi12SiO20. Встановлено, що легування Cr та Mn призводить до появи нових піків в температурному спектрі струму ТСД та зумовлює збільшення заряду ТЕС і ФЕС відносно нелегованого BSO. Дістали розвитку модельні уявлення про температурні залежності інтенсивності максимумів піків струму ТСД від умов попередньої поляризації (температури поляризації та напруженості поля поляризації) в випадках, коли реалізується більш ніж перший порядок кінетики релаксаціі. Вперше у кристалах BSO:Cr, BSO:Mn ідентифіковано об'ємно-зарядовий та квазідипольний механізми поляризаціі, які поставлено у відповідність кожному з піків струму ТСД. При цьому враховувалося, що порядок кінетики релаксації може перевищувати одиницю. Вперше досліджено вплив попередньої термобробки кристалів BSO:Cr, BSO:Mn на спектри струму ТСД. Виявлено значний вплив процесів асоціаціі та дисоціації електрично активних дефектів на формування ТЕС у кристалах BSO:Cr, BSO:Mn. Вперше досліджено температурно-частотні залежності комплексної діелектричної проникності кристалів BSO:Cr, BSO:Mn, переведених до термоелектретного стану. Одержані результати про параметры електрично активних дефектів у кристалах BSO:Cr, BSO:Mn рекомендується використовувати для оптимізації функціювання пристроїв запису та обробки оптичної інформації.