Голіней Р. Ю. Особливості енергетичного спектру низькорозмірних кремнієвих структур з розвиненою поверхнею

Дисертаційна робота присвячена дослідженню енергетичного спектру низькорозмірних (поруватих та нанокристалічних) кремнієвих структур і електронних властивостей межі поділу кристалічний кремній - поруватий шар за допомогою методу модуляційної спектроскопії електровідбивання. Встановлено, що позитивно заряджені дефекти в окисній плівці спричиняють збагачення електронами приповерхневих шарів кристалічного кремнію під поруватою шубою, а на межі поділу кристалічний кремній - поруватий шар виникає внутрішнє вбудоване поле. Побудована зонна діаграма зміни типу поверхневої провідності кристалічного кремнію в залежності від площі ефективної поверхні поруватого шару та товщини окислу на ній. Показано, що в енергетичному спектрі поруватого та нанокристалічного кремнію є прямі переходи в спектральних областях поблизу 1.7 еВ, 2.0 еВ, 2.35 еВ, 2.6 еВ та 2.9 еВ, які пов'язані з переходами зона поверхневих станів - зона провідності.