Данилюк С. В. Особливості переносу заряду в низьковимірних гетероструктурах на основі сполук A3В5

В роботі представлено результати комплексних досліджень процесів переносу заряду у низьковимірних гетероструктурах на основі сполук А3В5. Досліджуються квантові ями на основі гетеро пари Al(Ga)As/GaAs та системи самовпорядкованих квантових точок InAs у різних матрицях. Як головні методи, в роботі використовуються виміри ВАХ та ВФХ при низьких температурах (до 30 мК), у сильних магнітних полях (до 10 Т) та виміри фотовідгуку у широкому спектральному діапазоні. Для резонансно тунельних структур визначено відносний вклад до фотоструму як носіїв, прямо інжектованих світлом у квантову яму, так і носіїв, що тунелюють в КЯ з акумуляційного шару. Встановлено комплексний характер фотовідгуку в інфрачервоній області спектра, зумовлений різними механізмами збудження електронно-діркових пар. Побудована теоретична модель електрично-індукованої надгратки, створеної системою гребінчастих Шоткі-контактів. Результати розрахунків підтверджені експериментально. Запропоновано p-i-n діоди у якості спектрометра для дослідження енергетичної структури квантових точок. Метод застосовано для дослідження як електронних, так і діркових станів InAs КТ у матрицях GaAs та AlAs. Виявлено, що у структурах з КТ за рахунок ефектів накопичення заряду можуть виникати струмові бістабільності. Показано, що у p-i-n структурі, що містить і КЯ і КТ, можливе утворення бістабільностей як S- так і Z-типу.