Гринь Л. О. Радіаційно-індуковані дефекти монокристалів Li2B4O7:Ln (Ln=Tm, Eu, Ce)

Об'єкт дослідження - монокристали Li2B4O7 (ТБЛ), неактивовані і активовані іонами Tm3+, Eu3+, Ce3+. Мета дослідження - встановлення природи радіаційно-індукованих дефектів у ТБЛ, активованих іонами Tm3+, Eu3+, Ce3+, вивчення впливу активації на термостимульовану люмінесценцію та наведене оптичне поглинання ТБЛ. Методи дослідження: атомно-емісійний спектральний та рентгенівський дифракційний аналізи, оптична спектроскопія, фото- та рентгенолюмінесценція, термостимульована люмінесценція, скануюча електронна мікроскопія. Теоретичні і практичні результати, новизна: визначені основні типи центрів ТСЛ (дірковий О-- та електронні F+-, F-центри) , які обумовлюють ТСЛ монокристалів ТБЛ:Ln (Ln = Tm, Eu, Ce) в інтервалі температур 414?548 К, їх енергетичні і кінетичні параметри, розраховано концентрацію радіаційно-індукованих дефектів. Встановлено, що вибірна стимуляція діркових (у ТБЛ:Tm) та електронних (у ТБЛ:Се) власних центрів ТСЛ обумовлена типом активаторних центрів. Одночасна стимуляція всіх трьох власнихцентрів ТСЛ у ТБЛ:Eu пов'язується з існуванням у забороненій зоні кристалу двох активаторних рівнів захоплення: електронних та діркових. Показано вплив внутрішніх електричних полів зміщення в активованих п'єзоелектричних кристалах ТБЛ на збільшення імовірності утворення центрів ТСЛ. Сфера використання: радіаційна фізика, дозимертрія, технологія підвищення єфективності запасання світлосуми термодозиметричного матеріалу.