Петренко Т. Т. Парамагнітні дефекти в оксидах кремнію з нанокристалітами та карбіді кремнію p-типу.

Дисертація присвячена вивченню парамагнітних дефектів в імплантованих шарах оксидів кремнію, плівках SiOx та опроміненому електронами 6H-SiC p-типу. Ідентифiковано ряд парамагнiтних дефектiв у шарах SiO2, iмплантованих iонами Si+ й Ge+, та у плiвках SiOx. Визначено характер структурних перетворень, якi вiдбуваються в цих зразках у процесi вiдпалу в температурному діапазоні 100 – 1100 0С. При вивченнi iмплантованих структур Si/SiO2 вперше спостерiгались парамагнiтні дефекти, якi пов'язанi з надлишком атомiв Si в матрицi SiO2, та центри, пов'язанi з атомами Ge, розташованими у вузлах гратки SiO2. У випадку SiOx плiвок вперше було зафіксовано парамагнiтнi дефекти на iнтерфейсi SiO2 з кремнiєвими нанокристалiтами. У температурному дiапазонi 4–300 K визначенi параметри спiн-гамiльтонiану трьох основних центрiв Ky1, Ky2 та Ky3, якi спостерiгаються у кристалах 6H-SiC p-типу, опромiнених електронами. ЕПР дослідження при вивченні радіаційних центрів у карбiдi кремнiю проводились одночасно iз теоретичними розрахунками електронної структури та надтонких параметрів дефектів, які грунтуються на теорії функціоналу густини. Порiвняння розрахованих з перших принципiв надтонких параметрiв iз експериментально визначеними величинами дозволило ідентифікувати ці дефекти як позитивно заряджену вакансiю вуглецю в нееквiвалентних положеннях гратки 6H-SiC. На основі розрахунків вiдомi дефекти T5 та EI3 були iдентифiкованi відповідно як одиничний та нейтральний зарядовi стани розщепленого в напрямку <100> вуглецевого мiжвузля.