Джаган В. М. Комбінаційне розсіювання світла в структурах з тонкими SіGе шарами та самоіндукованими SіGе наноострівцями

В дисертації викладено результати комплексного дослідження оптичних та структурних властивостей структур з тонкими кремній-германієвими шарами та самоіндукованими наноострівцями. За допомогою спектроскопії КРС встановлено розподіл механічних напружень в шарах GeSi, отриманих різними методами. Досліджено вплив додаткових обробок та легування вуглецем на релаксацію напружень в Si/SiGe-гетероструктурах. Встановлено залежність об'єму, форми та поверхневої щільності самоіндукованих SiGe наноострівців від товщини епітаксійного германієвого шару та температури кремнієвої підкладки під час епітаксії. Підтверджено зв'язок бімодального розподілу острівців за розмірами з двома їх можливими рівноважними формами. Показано, що за рахунок дифузії атомів Si з кремнієвої підкладки під час росту острівці набувають змішаного GeSi складу і цей процес значно посилюється зі збільшенням температури росту. Теоретичний аналіз росту напружених SiGe наноострівців на кремнії показав, що при фіксованих температурі, концентрації Siв острівцях і часі росту має існувати граничне відношення висоти до латеральних розмірів, що визначає форму острівців. Збільшення вмісту кремнію в наноострівцях після зарощення їх Si не призводить до більшої їх релаксації, через відсутність вільної поверхні. Вирощування германієвих острівців на буферному шарі SiGe призводить до формування острівців виключно пірамідальної форми з максимально можливою щільністю. Встановлено, що серія низькочастотних смуг в спектрі КРС надграток з наноострівцями зумовлена саме наноострівцями, а не змочувальними шарами між ними.