Волнянський Д. М. Діелектричні властивості кристалів в системі Li2Ge4O9-LiNaGe4O9.

Об'єкт дослідження - сегнетоелектричні монокристалли германогерманатів складу Li2-xNaxGe4O9 (0,2<x<0,3). Мета - встановлення головних закономірностей механізму поляризаційних явищ в кристаллах Li2-xNaxGe4O9 (0,2<x<0,3) при впливах зовнішнього електричного поля, температури, зміни співвідношення іонів Li та Na. Методи - вирощування кристалів методом Чохральського, мостовий метод вимірювання діелектричної проникності, методики дослідження процесів переполчризації сегнетоелектриків в синусоїдальних та імпульсних полях. Виявлено, що в цій системі неможливо виростити методом Чохральського монокристали з вмістом 0 < х < 0,2. Вперше вирощено монокристали складу 0,2 < х < 0,3, які мають температуру фазового переходу від 270 до 335 К. Показано, що нелінійні діелектричні властивості кристалів з Тс < 300 К добре описуються в межах теорії Ландау для фазових переходів другого роду, а кристалів з Тс > 300 К - не описуються цією теорією. Виявлено, що в зразках з Тс < 300 К спостерігаються звичайні петлі діелектричного гістерезису. В зразках з Тс > 300 К виявлено подвійні петлі Р-Е гістерезису, які спостерігаються в обмеженому інтервалі температур в сегнетоелектричній фазі. Запропоновано модель, яка пояснює виникнення подвійних петель перебудовою доменної структури в кристалах, що досліджувались. Ця модель підтверджується вимірюван-нями температурних залежностей піроструму на кристалах з Тс < 300 К та Тс > 300 К. Сфера використання - дослідження сегнетоелектричних кристалів, навчальний процесс.