Бомзе Ю. В. Структура та надпровідність напівпровідних гетероструктур халькогенидів свинцю, олова та рідкісноземельних металів

Об’єкт - багатошарові напівпровідникові гетероструктури, які складаються з халькогенидів свинцю, олова та рідкісноземельних металів; Мета - з’ясування механізму, відповідного за появу надпровідних властивостей, пошук нових надпровідних напівпровідникових гетероструктур; Методи - вимірювання резистивних переходів та критичних полів, рентгеноструктурний аналіз, просвічувальна електрона мікроскопія, теоретичний аналіз; Результати - показано, що під впливом механічних напруг, основним джерелом яких є регулярні сітки дислокацій невідповідності, в вузькощілинному напівпровіднику поблизу міжфазних границь відбувається інверсія зон, що призводить до металізації міжфазних границь та появі надпровідних властивостей; Новизна - розроблено п’ять нових надпровідних напівпровідникових гетероструктур, виявлена кореляція між температурою надпровідного переходу та періодом дислокаційної сітки, здійснений розрахунок інверсії зон в межах анізотропної теорії пружності с урахуванням неоднорідності шарової структури; Галузьзастосування - створення надпровідних напівпровідникових гетероструктур з властивостями, які можна контролювати.