Пікарук О. О. Колективна спонтанна рекомбінація у квантових гетероструктурах і нитковидних кристалах

У дисертаційній роботі представлені результати досліджень ефекту надвипромінювання Діке в квантових InGaAs/GaAs гетероструктурах і в кремнієвих ниткоподібних кристалах. Вперше показано, що незалежність часу надвипромінювання від рівня збудження, що спостерігається в квантових гетероструктурах, пов'язана із заповненням квантової ями і супроводжується стабілізацією інших характеристик надвипромінювання: форми спектрів і інтенсивності, що суттєво відрізняється від надвипромінювання у газах і об'ємних матеріалах. Наявність певної кількості дефектів невідповідності у згаданих гетероструктурах хоча і призводить до зменшення інтенсивності, але надвипромінювання спостерігається. Додатковий d-шар германію веде до стабілізації характеристик надвипромінювання при менших значеннях рівня збудження, що є важливим для практичного застосування. Залежність максимального значення інтенсивності додаткового піка у інфрачервоній люмінесценції і зміна форми від рівня збудження у ниткоподібних кристалах кремнію подібні дотих, що є характерними для надвипромінювання Діке, що дозволяє припустити, що ниткоподібні кристали кремнію можуть бути використані для створення надкоротких імпульсів інфрачервоного світла.