Смоланка О. М. Екситони і фазові переходи в шаруватому сегнетоеластику Cs3Bi2I9

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0405U004903

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.07 - Фізика твердого тіла

16-12-2005

Спеціалізована вчена рада

К 26.199.01

Анотація

У дисертації представлено результати комплексних експериментальних досліджень кристалів шаруватого сегнетоеластика Cs3Bi2I9 методами низькотемпературної спектроскопії відбивання і комбінаційного розсіювання світла (КРС). Знайдено фундаментальні оптичні характеристики та побудовано діаграми Арганда є2 = f (є1) кристалів Cs3Bi2I9 в моноклінній і гексагональній фазах. Розроблено самоузгоджений метод однозначного поділу складних спектральних контурів на окремі складові шляхом комп'ютерного моделювання дійсної є1(E) і уявної є2(E) частин комплексної діелектричної проникності є(E) з урахуванням сингулярностей Ван Хова, що дозволило визначити параметри критичних точок та їх природу. Вперше для шаруватих кристалів виявлено нетрадиційний температурний зсув краю фундаментального поглинання сегнетоеластика Cs3Bi2I9. Показано, що цей ефект обумовлений належністю даних кристалів до звичайних у моноклінній фазі та шаруватих у гексагональній. Зареєстровано перехідну область в інтервалі температур 150-220 К, що складається з двох областей: гетерофазної (183-220 К) і залишкових внутрішніх напружень у моноклінній фазі (150-183 К); та зміну характеру екситон-фононної взаємодії з ростом температури від слабкої до сильної в околі 150 К. З'ясовано природу ліній КРС і знайдено давидівські дублети. Встановлено належність структурного фазового переходу при Тс=220 К до фазових переходів першого роду, що є близькими до другого. Вперше виявлено гігантський термодинамічний оптичний ефект та дано його пояснення на основі залежності показника заломлення від температури через появу і зміну з температурою параметра порядка (спонтанної деформації Dсп (Т)). Запропоновано на основі цього ефекту оптичний аналог транзистора.

Файли

Схожі дисертації

0424U000081

Чурілов Ігор Георгійович

Особливості термічного впливу на морфологічні зміни і механізм утворення рідкої фази у конденсованих однокомпонентних плівках (Pb, Sn, In, Bi) та у бінарних шаруватих плівках (Bi/Sn, Pb/Sn, Pb/In)

0424U000065

Мазур Дмитро Вікторович

Особливостi рентґенiвських спектрiв поглинання та магнiтного циркулярного дихроїзму оксиґенвмiсних сполук на основi металiв 4-го перiоду

0523U100214

Олійник Сергій Володимирович

Фізичні основи формування електричних та фотоелектричних властивостей кристалів AIIBVI і електричних властивостей багатокомпонентних покриттів

0522U100045

Богданов Євген Іванович

Ефекти азимутальної асиметрії розсіяння випромінення у кристалах та новітні можливості дифузнодинамічної дифрактометрії

0522U100002

Владимирський Ігор Анатолійович

Термодифузійні структурно-фазові зміни в гетерогенних системах на основі магнітних і немагнітних наношарів