Кутній Д. В. Створення та модифікація структур Me-CdZnTe-Me для детектування гамма-випромінювання

Дисертація присвячена фізико-технологічним аспектам створення твердотільних структур Me-CdZnTe-Me для детектування гамма-випромінювання та розробці методів цілеспрямованого поліпшення їх електрофізичних характеристик шляхом різних модифікуючих впливів. Мета: створення твердотільних структур метал-напівпровідник-метал на основі напівпровідникової сполуки CdZnTe з контактами різного типу, вибір оптимальної структури та розробка методів її модифікації шляхом різних зовнішніх впливів для ефективної реєстрації гамма-випромінювання в широкому діапазоні енергій. Результати, новизна: в широкому інтервалі енергій розраховано ефективність реєстрації гамма-випромінювання для структур Me-CdZnTe-Me з омічними та бар'єрними контактами; вперше для опису вольтамперних характеристик твердотільних структур Me-CdZnTe-Me застосовано електрична еквівалентна схема і на її основі визначено фізико-технологічні критерії якості досліджуваних структур з омічними та бар'єрними контактами; вперше експериментально досліджено вплив гідростатичної обробки тиском до 0,2 ГПа на електрофізичні та детектуючі характеристики твердотільних структур Au-CdZnTe-Au. На основі отриманих результатів удосконалені технологічні схеми виготовлення твердотільних структур Au-CdZnTe-Au для детектування гамма-випромінювання в заданому діапазоні енергій, в які включені різні модифікуючи обробки. Структури Au-CdZnTe-Au, виготовлені на основі запропонованих технологічних схем, використовуються в ТОВ "Інтератомінструмент" (м. Київ) для створення дозиметричних блоків реєстрації гамма-випромінювання.