Бутько В. Г. Електронна щільність і градієнт електричного поля в купратах та рідкісноземельних оксидах

Дисертація присвячена застосуванню модифікованого статистичного методу до розрахунків електронних властивостей металооксидних кристалів. Продемонстровано ефективність методу при розрахунках багатокомпонентних кристалів зі змішаним типом хімічного зв'язку і великим числом атомів в елементарній комірці.Детальне дослідження розподілу електронної щільності в сполуці Y1-xPrxBa2CuO7 дозволило зняти протиріччя між структурними даними нейтронографічних і рентгенівських вимірів цієї системи.У рамках модифікованого статистичного методу отриманий гарний кількісний опис тензора градієнта електричного поля як при стиску, так і при зміні стехіометрії системи. Виявлена зміна знака похідної квадрупольної константи за тиском при переході від орторомбічної структури до тетрагональної пояснює істотний вплив нестійкості ґратки La-Sr оксидів на електричні надтонкі взаємодії. Було проведено вивчення можливості зміни валентності рідкісноземельних іонів під впливом надвисокого тиску при незмінності кристалічної структури сполук. Проведені розрахунки розподілу електронної щільності кристалів PrO2 і Sm2O3 при різних ступенях стиску й обчислені відповідні середні заряди іонів.Відповідно до принципу електронейтральності Полінга аналізується припущення про те, що динаміка зміни величини середнього заряду іона може служити мірою нестійкості системи. В такому ракурсі розглянутий структурний фазовий перехід, ініційований високим тиском, в кристалі EuO. Результати розрахунків добре корелюються з експериментальними даними.