Тріщук Л. І. Фізико-хімічна взаємодія в системах АI2ВVI-AIIBVI і вирощування монокристалів напівпровідників типу AIIBVI із розчину-розплаву.

Дисертація присвячена дослідженню фізико-хімічної взаємодії в системах АI2ВVI-АIIВVI та вирощуванню високоплавких цинк і кадмій халькогенідів методом кристалізації із розчину-розплаву з використанням купрум і арґентум халькогенідів як розчинів-розплавів. Проведено термодинамічний аналіз хімічної взаємодії Cu2(Ag2)BVI з халькогенідами металів підгрупи цинку, досліджено 18 обмінних реакцій, побудовано температурні залежності ізобарно-ізотермічного потенціалу ?GT і константи рівноваги Kp. Визначено стабільні діагональні перерізи потрійних взаємних систем, які описуються даними обмінними реакціями. За допомогою методів фізико-хімічного аналізу вперше побудовано діаграми стану 13-и квазібінарних систем A2IBVI-AIIBVI і встановлено, що діаграми стану систем Cu2S(Se)-CdS(Se), Cu2Te-Zn(Cd)Te, Ag2Se-ZnS(Se), Ag2Te-ZnTe(ZnS, CdS) відносяться до діаграм стану евтектичного типу, а системи Cu2S-ZnS, Cu2Se-ZnSe, Ag2Se-CdSe і Ag2Te-CdTe описуються діаграмами стану перитектичного типу. Побудовано поверхні ліквідусу восьми квазіпотрійних [Cu2(Ag2)S(Se, Te)-ZnS(Se, Te)-CdS(Se, Te), Ag2Te-Zn(Cd)Te-Zn(Cd)S] і однієї потрійної взаємної системи (Ag2S + ZnSe Ф Ag2Se + ZnS). Встановлено загальні закономірності взаємодії компонентів в твердому і в рідкому стані в квазібінарних і квазіпотрійних системах за участю халькогенідів металів побічних підгруп першої і другої групи. На основі побудованих діаграм стану і поверхонь ліквідусу підібрано оптимальні технологічні умови для вирощування монокристалів високоплавких сполук AIIBVI і твердих розчинів на їх основі методом кристалізації із розчину-розплаву. Методом рухомого нагрівача отримано об'ємні монокристали ZnS, ZnSe, CdS та твердих розчинів ZnSxSe1-x, ZnxCd1-xS, ZnxCd1-xSe і ZnxСd1-xTe із розчинів в розплавах купрум і арґентум халькогенідів.