Бучнєв О. С. Суспензії cегнетоелектричних наночастинок Sn2P2S6 та BaTiO3 в нематичних рідких кристалах

У дисертаційній роботі досліджуються основні властивості нового типу РК матеріалів, а саме низькоконцентрованих суспензій сегнетоелектричних частинок Sn2P2S6 та BaTiO3 в нематичних рідких кристалах. Показано, що додавання сегнетоелектричних частинок приводить до суттєвого збільшення оптичної і діелектричної анізотропії та температури фазового переходу рідкого кристалу в ізотропну фазу. Крім того, суспензії характеризуються меншими напругами електрооптичних ефектів порівняно з чистими рідкими кристалами. Запропонована модель впливу сегнетоелектричних наночастинок на основні властивості РК матриці, яка пояснює збільшення оптичної та діелектричної анізотропії РК, а також температури фазового переходу рідкого кристалу в ізотропну фазу підвищенням параметра порядку РК поблизу частинок завдяки сильному електричному полю, що пов'язане з постійним дипольним моментом частинок. Сегнетоелектричні суспензії можуть бути успішно застосовані як робочі речовини у приладах відображення, обробки та запису інформації, оскільки мають ряд переваг порівняно із чистими РК, а саме: меншими напругами електрооптичних переходів, меншими часами електрооптичного відгуку та більшим коефіцієнтом обміну енергіями світлових пучків при запису дифракційних фоторефрактивних ґраток. Додавання сегнетоелектричних наночастинок в РК матриці є ефективним методом контролю фізичних властивостей РК матеріалів.