Шелест Т. М. Вплив вакансій селену на електрофізичні властивості квазінизьковимірних систем NbSe2 та NbSe3

Об'єкт - процеси дефектоутворення в квазінизьковимірних системах. Мета - встановлення процесів утворення вакансій селену в квазінизьковимірних системах NbSe2 та NbSe3 та з'ясування впливу вакансій на електрофізичні властивості цих систем. Методи - вимірювання температурних і температурно-часових залежностей електроопору, відносного видовження, рентгенодифрактометричний аналіз, теоретичний аналіз впливу вакансій на температурну залежність електроопору. Результати, новизна: встановлено значне відхилення температурної залежності електроопору квазінизьковимірних монокристалів NbSe2 і NbSe3 від лінійності вище 400 К, яке обумовлене утворенням вакансій селену. Встановлено залежність ефективної енергії утворення вакансій селену від часу витримки для монокристалів NbSe2, яка обумовлена перерозподілом носіїв заряду при зростанні концентрації вакансій. Вперше виявлено аномально високе (до 150%) значення температурно-залежної частини вакансійного внеску в електроопір монокристалів NbSe2 та NbSe3. Запропоновано теоретичну модель для пояснення аномально високого значення температурно-залежної частини вакансійного внеску в електроопір для NbSe3, яка ґрунтується на різному характері розсіювання електронів, які належать до різних структурних ланцюжків квазіодновимірного NbSe3, на дефектах ґратки і на фононах. Галузь використання: фізика твердого тіла, фізика низьковимірних систем