Подолян А. О. Вплив ультразвуку на дефекти та фотоелектричні властивості кремнію і структур на його основі

Дисертація присвячена експериментальному вивченню фотоелектричних явищ в монокристалічному кремнії та низькорозмірних структурах на його основі, зумовлених процесами виникнення, перебудови та зникнення точкових дефектів під дією ультразвуку. В роботі вперше експериментально продемонстровано можливість холодного ультразвукового відпалу точкових радіаційних дефектів, введених опроміненням g-квантами 60Co в монокристалічний кремній. Запропоновано моделі холодного ультразвукового відпалу Е-центрів в кремнії, отриманому методом зонної плавки, та комплексів C-O-V2 в кремнії, отриманому методом Чохральского. Показано можливість відновлення ультразвуком робочих характеристик деградованих радіацією кремнієвих детекторів ядерних частинок. Продемонстровано можливість очищення об'єму кремнію від небажаних домішок Na та K, та зменшення неоднорідності в розподілі електрично-активних радіаційних дефектів шляхом обробки ультразвуком. Виявлено, що одночасна з імплантацією іонів He+ обробка ультразвуком SixGe1-x/Si здатна суттєво зменшити концентрацію проростаючих дислокацій в плівках SixGe1-x при термічній релаксації. Зареєстровано ефекти перебудови спектральних залежностей фото-е.р.с. в структурі Au/SixGe1-x/Si та фотолюмінесценції поруватого кремнію в режимі обробки ультразвуком, які пояснили акустостимульованою перебудовою дефектів структури.