Велещук В. П. Акустична емісія в світловипромінюючих структурах на основі сполук GaP, GaAs та GaN

Робота присвячена дослідженню акустичної емісії (АЕ) в напівпровідникових світловипромінюючих структурах на основі сполук GaP, GaAs та GaN при протіканні постійного прямого електричного струму, а також акустичного відгуку в монокристалах GaAs та CdTe при дії на їх поверхню наносекундного імпульсного лазерного випромінювання. В роботі розвивається перспективний напрямок фізики твердого тіла, пов'язаний з використанням явища акустичної емісії як цілеспрямованого неруйнівного тонкого методу вивчення динаміки дефектоутворення напівпровідникових структур в режимі реального часу. Даним методом АЕ отримано практично важливу інформацію про процеси природного старіння в світловипромінюючих структурах на основі сполук GaAsP, GaP та GaAlAs, які за час 6·108 с. підвищують в 10-20 раз максимально допустимі густини струмів, зокрема густини струмів руйнування та поріг виникнення АЕ. Вперше показано, що зміни в спектрі електролюмінесценції, які традиційно зв'язуються із зміною стану точкових дефектів, корелюють з виникненням акустичної емісії, пов'язаної із процесом перебудови структури матеріалу в локальних об'ємах. Визначено пороги плавлення грані (111) сполук GaAs та CdTe при наносекундному лазерному опроміненні по зміні амплітуди акустичного відгуку. Ключові слова: GaP, GaAs, GaN, акустична емісія, дефектоутворення, електролюмінесценція, лазерне опромінення.