Шуліка О. В. Процеси переносу в активних середовищах напівпровідникових лазерів та оптичних підсилювачів на основі асиметричних багатошарових квантово-розмірних гетероструктур

Об'єкт дослідженнь: напівпровідникові лазери і напівпровідникові оптичні підсилювачі на основі асиметричних багатошарових квантово-розмірних гетероструктур. Мета: рішення наукової задачі, яка полягає у встановленні закономірностей процесів квантового переносу в композиційно асиметричних багатошарових квантово-розмірних гетероструктурах, їх теоретичному описі і встановлені суті їхнього впливу на імпульсний відгук напівпровідникових оптичних підсилювачів. Результати, новизна: Вперше виконано теоретичний опис області захоплення як фундаментальну характеристику квантово-розмірних гетероструктур (КРС), що витікає з їхньої квантової природи. Вперше вирішено задачу про просторову залежність швидкості захоплення носіїв. Вперше показано, що область захоплення може бути як менше, так і більше геометричних розмірів КРС. Вперше теоретично описані процеси тунелювання в асиметричних багатошарових КРС. Показано, що тунелювання від глибоких квантових ям до мілких здійснюється через верхні стани, а тунелювання від мілких квантових ям до глибоких відбувається через нижні стани. Обчислені середні часи тунелювання лежать у межах від одиниць пікосекунд до декількох десятків фемтосекунд і становлять конкуренцію внутрішньозонним процесам в динаміці населеності й підсилення активної області. Галузь використання: оптика, лазерна фізика