Москаль Д. С. Дефектоутворення у приповерхневих шарах монокристалів GaAs під впливом низькорівневого просторово-модульованого лазерного опромінення.

Об'єкт дослідженнь: напівпровідникові монокристали GaAs марки АГЧТ-1-25а-1. Мета роботи: з'ясування фізичних закономірностей дефектоутворення у приповерхневих шарах монокристалів GaAs при дії низькорівневого лазерного опромінення з просторовою модуляцією інтенсивності. Методи: опромінювання кристалів GaAs у допороговому режимі імпульсами лазерного випромінювання з гауссовим та дифракційним розподілом інтенсивності, металографічні дослідження, АСМ і РЕМ. Чилові методи диференціювання та інтегрування. Результати, новизна: Запропоновано метод структурної модифікації приповерхневих шарів монокристалів GaAs. Виконані числові розрахунки полів температур, деформацій і термічних напружень, що створюються у приповерхневому шарі GaAs. Встановлено значення граничної густини енергії опромінення GaAs для мілісекундного лазерного імпульсу, нижче якої відбувається утворення дефектів точкового типу без активації процесів дислокаційного ковзання і утворення тріщин. Показана можливість утворення низькорозмірних кластерних структур у приповерхневому шарі GaAs під дією мілі- та наносекундних лазерних імпульсів з латерально-періодичним розподілом інтенсивності. Запропоновано механізм дифузійно-деформаційного перерозподілу власних точкових дефектів GaAs під дією дифракційно-модульованого лазерного опромінення. Галузь використання: розробка напівпровідникових приладів на базі GaAs з кластерною структурою приоверхневих шарів, прилади на квантово-розмірних ефектах, лазерні технології обробки кристалів.