Ніколенко А. С. Фотоелектричні властивості багатошарових SiGe гетероструктур з наноострівцями

В дисертації викладено результати експериментальних досліджень спектральних розподілів фотопровідності та фото-ЕРС багатошарових гетероструктур з SiGe наноострівцями. Запропоновано теоретичну модель розрахунку зонної структури гетеропереходу SiGe-острівець/Si-оточення, яка дозволяє визначити можливі типи оптичних переходів та оцінити їх енергію. Для врахування компонентного складу, деформацій та геометричних розмірів острівців використано аналіз спектральних розподілів комбінаційного розсіяння світла та топограм поверхонь, отриманих з допомогою атомно-силової мікроскопії досліджуваних структур. Проаналізовано вплив прикладеного електричного поля та термічного відпалу досліджуваних структур на форму спектрів фотопровідності. Запропоновано використання шарів SiGe острівців, вбудованих в базу p-i-n структури, що дозволило значно підвищити фоточутливість в області непрямих в просторі міжзонних переходів.