Слободян М. В. Вплив тривимірного впорядкування та деформацій на дифракцію Х-променів в реальних багатошарових структурах

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0409U001125

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.07 - Фізика твердого тіла

20-02-2009

Спеціалізована вчена рада

Д 26.199.01

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Анотація

Дисертація присвячена дослідженню структури та основних фізичних властивостей багатошарових структур (БШС) InGaAs/GaAs з квантовими точками (КТ), в залежності від умов росту та зовнішніх впливів методами високороздільної Х-променевої дифрактометрії. В роботі проведено адаптацію методу картографування оберненого простору на-вколо вузлів оберненої гратки для вирішення оберненої задачі визначення складу і пружної деформації в системах з впорядкованим масивом квантових точок. Вперше було встановлено і пояснено природу зміни періоду багатошарової структури після швидкого термічного відпалу (ШТВ), яка обумовлена впливом макрокривизни на зсуви положень піків сателітної структури когерентної надгратки (НГ). Встановлена природа чутливості кривих дифракційного відбиття (КДВ) до макрозгину багатошарової системи, яка полягає в зміщенні сателітів із своїх положень в залежності від кута Брегга. Встановлено і дано пояснення ефекту розщеплення когерентних сателітів і нахи-лу латеральних сателітів на дифракційних картинах від БШС з КТ, яке полягає в прямому і похилому наслідуванні КТ та квантових ниток (КН) при рості структур. Вперше запропонова-на методика реконструкції просторової гратки квантових точок з експериментальних карт розподілу інтенсивності в оберненому просторі. За допомогою Х-променевих дифракційних досліджень виявлені особливості самонаправленого впорядкування структур із КН при застосуванні в технологічному процесі росту потоків миш'яку різного молекулярного складу. Відмінності в фізичних механізмах вбудовування адатомів із потоків As2 та As4 визначають суттєві відмінності в процесах поверхневої дифузії та формуванні полів пружних деформацій в епітаксійних структурах. Досліджено вплив швидкого термічного відпалу на структурну перебудову масивів КТ в багатошарових структурах InGaAs/GaAs. В результаті проведених досліджень була встановлена область температурної стабільності структурних характеристик БШС і побудована модель температурних трансформацій в структурах. Дано пояснення природі 2D-3D структурних переходів.

Файли

Схожі дисертації

0424U000081

Чурілов Ігор Георгійович

Особливості термічного впливу на морфологічні зміни і механізм утворення рідкої фази у конденсованих однокомпонентних плівках (Pb, Sn, In, Bi) та у бінарних шаруватих плівках (Bi/Sn, Pb/Sn, Pb/In)

0424U000065

Мазур Дмитро Вікторович

Особливостi рентґенiвських спектрiв поглинання та магнiтного циркулярного дихроїзму оксиґенвмiсних сполук на основi металiв 4-го перiоду

0523U100214

Олійник Сергій Володимирович

Фізичні основи формування електричних та фотоелектричних властивостей кристалів AIIBVI і електричних властивостей багатокомпонентних покриттів

0522U100045

Богданов Євген Іванович

Ефекти азимутальної асиметрії розсіяння випромінення у кристалах та новітні можливості дифузнодинамічної дифрактометрії

0522U100002

Владимирський Ігор Анатолійович

Термодифузійні структурно-фазові зміни в гетерогенних системах на основі магнітних і немагнітних наношарів