Науменко Д. О. Фотоелектричні властивості контакту метал-напівпровідник з проміжним шаром фулериту, органічного напівпровідника або наночастинок.

В дисертаційній роботі досліджено вплив проміжного активного шару на механізм формування фотоструму в контакті метал-напівпровідник у випадках, коли як активний шар використовуються: тонкі плівки фулериту або органічного напівпровідника, де за рахунок поглинання світла генеруються додаткові електронно-діркові пари; металеві наночастинки, де збуджується особливий тип квазічастинок локальні плазмони. В результаті проведених досліджень визначено внесок активних шарів у загальний фотострум поверхнево-бар'єрних структур метал-напівпровідник. Показано, що введення тонкого проміжного шару фулериту С60 в структури метал-напівпровідник, як з плоскими, так і мікрорельєфними границями розділу, призводить до збільшення їх фотоструму за рахунок додаткової генерації носіїв струму в області власного поглинання С60, а самі структури демонструють стабільність у часі. Показано, що використання хімічно модифікованих шарів фулериту С60 сприяє утворенню на їх поверхні однорідних за формою і розміром металевих наночастинок, та проаналізовано їх вплив на оптичні, електричні і фотоелектричні властивості структур метал-напівпровідник. Встановлено механізм струмопроходження крізь фулеритовий шар та вплив на нього хімічної полімеризації. Показано, що текстурування поверхні неорганічного напівпровідника мікрорельєфних гетеропереходів органічний/неорганічний напівпровідник приводить до значного збільшення фотоструму досліджуваних структур. Досліджено збудження локального плазмонного резонансу в золотих наночастинках на поверхні напівпровідника, та визначено внесок локальних плазмонів у фотострум поверхнево-бар'єрних структур Au/GaAs з проміжним шаром наночастинок золота на межі поділу.