Куньо І. М. Динаміка модульованої структури в діелектричних кристалах [N(CH3)4]2MeCl4 (Me= Cu; Zn; Mn), Cs2HgCl4, Cs2HgBr4 і Cs2CdBr4, в умовах сильного піннінгу

У дисертаційному дослідженні проведені комплексні дослідження впливу різних зовнішніх чинників (температури, одновісного тиску і електричного поля вздовж різних кристалографічних напрямів) на динаміку модульованої структури в кристалах [N(CH3)4]2MeCl4 (Me= Cu; Zn; Mn), Cs2HgCl4, Cs2HgBr4 і Cs2CdBr4. Встановлено зокономірності динаміки модульованої надструктури в умовах сильного пінінгу. У солітонному режимі неспівмірної модуляції за умови існування хвилі густини дефектів виникає новий багатохвильовий стан неспівмірної модульованої структури, який характеризується або суперпозицією декількох хвиль модуляції в одному кристалографічному напрямку, або кристал приймає доменоподібну будову, яка характеризується різною періодичністю надструктури. За умови існування декількох хвиль густини дефектів в кристалі реалізується стохастичний режим неспівмірної надструктури з утворенням хаотичної фази. Встановлено, що збільшення енергії взаємодії надструктури з базовою структурою зумовлює зміну динаміки неспівмірної надструктури, спричиняючи зменшення температурного інтервалу неспівмірної фази та розширення температурного інтервалу існування метастабільних станів. Деформація кристалічної структури внаслідок дії електричного поля та механічного напруження супроводжується пониженням енергії взаємодії між солітонами, спричиняючи закріплення солітонів атомами базової структури у випадкових положеннях.