Гулатіс І. . Анізотропія електротранспорту, надлишкова провідність і структурна релаксація в ВТНП-монокристалах системи 1-2-3

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0409U005742

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.07 - Фізика твердого тіла

20-11-2009

Спеціалізована вчена рада

Д64.051.03

Анотація

Об'єкт дослідження - структурна релаксація і динаміка перенесення заряду в нормальному стані в монокристалах ReBaCuO (Re=Y, Но) з різним ступенем відхилення від кисневої стехіометрії і легованих заміщаючими елементами. Метою роботи було розвязання задачі, щодо встановлення фізичних закономірностей проходження динамічних фазових переходів і зясування особливостей взаємовпливу процесів локалізації носіїв, флуктуаційної і псевдощілинної аномалій в умовах дії зовнішніх чинників (низької температури, високого тиску і магнітного поля), а також структурної анізотропії і заданої топології дефектів кристалічної решітки у ВТНП-сполуках системи 1-2-3. Результати, новизна: 1.Вперше показано, що в монокристалах НоBaCuO межі двійникування є ефективними центрами розсіювання нормальних носіїв. При збільшенні дефіциту кисню в об'ємі кристала відбувається посилення процесів локалізації носіїв уздовж вісі с, що супроводжується переходом від ПЩ-режиму до режиму стрибкової провідності зі змінною довжиною стрибка. 2.Вперше визначена енергія активації процесу релаксації електроопору монокристалів ReBaCuO (Re=Y, Но) з нестачею кисню, яка є функцією температури і тиску. При цьому встановлено, що по мірі наближення до рівноважного стану в системі величина енергії активації і характерні терміни процесів релаксації збільшуються. 3.Вперше встановлено, що прикладання постійного магнітного поля (до 12,7 кЕ) в слабко допованих алюмінієм монокристалах YBaCuAlO приводить до істотного звуження температурного інтервалу існування флуктуаційної парапровідності. При цьому описання надлишкової провідності експоненціальгою температурною залежністю може бути задовільно пояснене в термінах теорії середнього поля, де Т* представлена, як температура кросовера до псевдощілинного стану. Галузь використання: фізика твердого тіла, фізика надпровідності.

Файли

Схожі дисертації

0424U000081

Чурілов Ігор Георгійович

Особливості термічного впливу на морфологічні зміни і механізм утворення рідкої фази у конденсованих однокомпонентних плівках (Pb, Sn, In, Bi) та у бінарних шаруватих плівках (Bi/Sn, Pb/Sn, Pb/In)

0424U000065

Мазур Дмитро Вікторович

Особливостi рентґенiвських спектрiв поглинання та магнiтного циркулярного дихроїзму оксиґенвмiсних сполук на основi металiв 4-го перiоду

0523U100214

Олійник Сергій Володимирович

Фізичні основи формування електричних та фотоелектричних властивостей кристалів AIIBVI і електричних властивостей багатокомпонентних покриттів

0522U100045

Богданов Євген Іванович

Ефекти азимутальної асиметрії розсіяння випромінення у кристалах та новітні можливості дифузнодинамічної дифрактометрії

0522U100002

Владимирський Ігор Анатолійович

Термодифузійні структурно-фазові зміни в гетерогенних системах на основі магнітних і немагнітних наношарів