Денисюк Р. О. Взаємодія твердих розчинів Сd1-xМnxТe з іодвмісними (І2-метанол, І2-диметилформамід) та іодвиділяючими (Н2О2-НІ-розчинник) травильними композиціями

Робота присвячена експериментальному дослідженню хімічної взаємодії CdTe і твердих розчинів Сd1-xМnxТe з іодвмісними (І2 - метанол, І2 - диметилформамід) та іодвиділяючими (Н2О2 - НІ - розчинник) травильними композиціями і розробці на основі отриманих результатів травників та методик і режимів полірування поверхні вказаних напівпровідників. Досліджено кінетичні особливості розчинення CdTe і Сd1-xМnxТe в іодвмісних сумішах І2 - СН3ОН, І2 - ДМФА, І2 - НІ та іодвиділяючих композиціях шести потрійних систем: 46%-ний Н2О2 - НІ - оксалатна кислота, 46 %- та 30 %-на Н2О2 - НІ - тартратна кислота, 30 %-на Н2О2 - НІ - лактатна кислота і 46 %- та 30 %-на Н2О2 - НІ - цитратна кислота. Використовуючи математичне планування експерименту, побудовано 24 поверхні однакових швидкостей розчинення СdТe та Сd1-xМnxТe в цих іодвиділяючих сумішах і встановлено межі існування поліруючих, селективних і неполіруючих розчинів в кожній досліджуваній системі. Встановлено вплив органічних кислот (оксалатна, тартратна, лактатна і цитратна кислота) та концентрації Н2О2 на швидкість розчинення і поліруючі властивості травильних композицій. Визначено, що із збільшенням вмісту мангану в складі твердих розчинів Сd1-xМnxТe швидкість розчинення кристалу збільшується і зростають концентраційні межі травників, що володіють поліруючими властивостями. За результатами експериментальних вимірювань електродних потенціалів процесів саморозчиненя досліджуваних напівпровідників в поліруючих травильних композиціях та залежності їх від часу травлення встановлені електрохімічні перетворення, що відбуваються при поліруванні кристалів. Побудовано залежності швидкостей ХМП від розведення базових поліруючих травників систем Н2О2 - НІ - органічна кислота в'язкими розчинниками, визначено вплив їх природи на поліруючі властивості травильних композицій та якість поверхні кристалів Cd1-xMnxTe. На основі експериментальних даних оптимізовано склади травильних розчинів, розроблено режими та способи обробки поверхонь монокристалів напівпровідників Cd1-xMnxTe для формування якісної полірованої поверхні з шорсткістю, яка не перевищує 0,05 мкм. Ключові слова: хімічне травлення, тверді розчини, поверхня, полірування, травильні композиції, іодвмісні і іодвиділяючі травники.