Дворник О. В. Ізоенергетичні поверхні та фундаментальні зонні параметри сполук А(ІІ)3В(V)2

Робота присвячена теоретичному дослідженню особливостей енергетичного спектра носіїв заряду і таких характеристик кінетичних ефектів як густина станів, ефективна маса густини станів у модифікаціях сполук А(ІІ)3В(V)2 як з центром, так і без центра симетрії. У межах першого наближення теорії збурень узагальнено зонну kp-модель для одновісних кристалів А(ІІ)3В(V)2. Теоретико-груповими методами побудовано гамільтоніани для матеріалівА(ІІ)3В(V)2 різних груп симетрії. Отримане узагальнене дисперсійне рівняння, придатне для кристалів як з центром, так і без центра симетрії, що враховує непараболічність та анізотропію країв енергетичних зон, описує виникнення додаткових топологічних переходів для ізоенергетичних поверхонь, особливості Ван-Хова у функціональних залежностях густини станів. Розраховані ефективні маси густини станів носіїв заряду поблизу екстремумів зон. Досліджено прямий та непрямий вплив уточненого нелінійного функціонального зв'язку поміж параметром кристалічного поля (параметром Кілдал) та осьовою деформацією решітки на енергетичні спектри носіїв. Доведено, що загальна сума спінових розщеплень для всіх спінових підзон модифікацій без центра симетрії є нульовою за умови незалежності параметра від тетрагональної деформації решітки .