Савченко Д. В. Електронна структура та кінетичні властивості парамагнітних домішок та дефектів у карбіді кремнію

В дисертаційній роботі досліджено електронну структуру донорів азоту (N), його комплексів у 4H та 6H SiC n-типу, а також дефектів та їх кінетичних властивостей у напівізолюючому (НІ) 4Н і 6H SiC методами електронного парамагнітного резонансу (ЕПР), ехо-детектованого (ЕД) ЕПР, імпульсного подвійного електронного ядерного резонансу (ІПЕЯР) та фото ЕПР. У спектрах ЕД ЕПР у 4Н та 6H SiC n-типу виявлено триплет ліній N з S = 1, віднесений до віддаленої пари, що утворюється між атомами N у квазікубічній та гексагональній позиції, пов'язаними між собою атомом кремнію (NКSiКNГ). З дослідження спектрів ІПЕЯР визначено параметри NГ у 4H SiC та константи квадрупольної взаємодії для NК та NГ. Визначені константи супернадтонкої взаємодії N з найближчим його оточенням. Зроблено висновок, що атоми N у 6H SiC заміщують атоми вуглецю. Виявлено та теоретично описано процес довготривалої релаксації (ДР) нерівноважних носіїв, захоплених на дефектні та домішкові рівні у НІ 4Н SiC. Визначено кінетичні властивості домішок та дефектів, величини ймовірностей та типи електронних процесів, відповідальних за ДР. З даних фото ЕПР встановлено електронні моделі дефектів, відповідальних за НІ властивості 6H SiC.