Халавка Ю. Б. Синтез і властивості нанокристалів СdS i CdTe

В дисертаційній роботі досліджено вплив технологічних факторів (температури синтезу і термообробки, природи і концентрації прекурсорів, природи середовища) на процеси синтезу і розмір-селективного осадження нанокристалів (НК) напівпровідників CdS і CdTe розміром 2-20 нм на їх структуру та оптичні властивості. Вивчено закономірності процесів формування тонких багатошарових покриттів з НК CdTe, впровадженими у плівкоформуючий полімер ПДДА та створення композитів нанорозмірний напівпровідник/метал. Розроблено метод гетерофазного вирощування золотих доменів розміром близько 20 нм на поверхні одновимірних та розгалужених структур нанорозмірних CdS і CdTe шляхом відновлення сполук Ауруму у присутності амінів.