Тимочко М. Д. Гальваномагнітні явища у модифікованих ультразвуком та гама-опроміненням кристалах CdMnHgTe, Ge, Si

Метою роботи є вивчення особливостей явищ переносу носіїв заряду в об'ємних напівпровідникових твердих розчинах MnHgTe, CdMnHgTe та кристалах Ge і Si; з'ясування домінуючих механізмів дії ультразвуку (УЗ) і гама-опромінення в кристалах різної дефектної структури та пошук можливостей їх використання для практичних розробок. Проведено комплексні дослідження впливу ультразвуку на електрофізичні характеристики (температурні, магнітопольові, амплітудні) для спеціально підібраних зразків у залежності від складу та стану структурних дефектів із використанням вдосконалених акустодинамічних методик: динамічний акусто-холл, термоакустичний відпал, імпульсна акустопровідність. Показано, що основні УЗ зміни параметрів МРТ і КМРТ пов'язані з перерозподілом атомів ртуті між об'ємом та дислокаціями. Вперше виявлено вплив УЗ на електрофізичні характеристики бездислокаційних зразків p-Ge; запропоновано механізм, що полягає в акустоіндукованій інверсії заселеності рівнів легких та важких дірок та зростанні розсіювання носіїв заряду на йонізованих домішках. Встановлена можливість модифікації радіаційних дефектів та керування станом метастабільних центрів за допомогою УЗ в гама-опромінених кристалах n-Si з різним вмістом кисню; визначено енергетичні положення рівнів дефектів та їх концентрації; запропоновано дифузійний та деформаційний механізми УЗ модифікації радіаційних комплексів. Вперше виявлено зворотну зміну електропровідності при імпульсному ультразвуковому навантаженні; показано можливість акустичної спектроскопії багатозарядних центрів.