Сафрюк Н. В. Рентгеноструктурна характеризація багатошарових систем Al(In)GaN на полярних площинах сапфіру.

Дисертація присвячена дослідженню процесів релаксації, з застосуванням комплексного експериментального та теоретичного підходів, у багатошарових системах Al(In)GaN, вирощених на полярних площинах сапфіру. Для систем AlxGa1-xN/GaN/Al2O3(0001) встановлено новий механізм релаксації пружних деформацій, який полягає в різних кутових розворотах одиничних гексагональних комірок нітриду галію навколо с-осі сапфіру при варіації його товщини. Встановлено вплив типу "темплейта" на структурні властивості НГ GaN/AlN. Показано, що НГ, вирощені на AlN/Al2O3-темплейті релаксують в основному за рахунок формування дислокацій невідповідності, в той час як НГ, вирощені на GaN/Al2O3-темплейті релаксують за рахунок утворення тріщин. Вперше це пояснюється різним впливом остаточних деформацій в системі GaN-буфер /темплейт на рівень деформації в шарах НГ при їх осадженні. Виявлено, що товщина квантових бар'єрів (AlN) та квантових ям (GaN) в НГ є відмінною від технологічно заданої. І цей ефект сильніше проявляеться при рості НГ на напруженому AlN/Al2O3-темплейті. Виявлено вплив кількості квантових ям в НГ InxGa1-xN/GaN на співвідношення товщин яма/бар'єр і вміст індію в квантових ямах. Вперше показано, що ступінь релаксації деформацій зростає із збільшенням числа періодів в НГ, що приводить до росту концентрації індію в квантових ямах і супроводжується змінами товщин яма/бар'єр.