Авраменко К. А. Оптичні та структурно-морфологічні властивості низькорозмірних структур на основі GaN і ZnO.

Дисертація присвячена дослідженню фізичних властивостей, явищ і процесів, які визначають коливні і електронні властивості низькорозмірних структур на основі GaN і ZnO в залежності від технологічних умов вирощування. Методом скануючої конфокальної мікро-КРС спектроскопії досліджено просторовий розподіл деформацій, структурної досконалості і концентрації (рухливості) електронів в напрямку росту нітридних шарів n++-n0-n++-GaN діодних структур із субмікронною роздільною здатністю. На основі теоретичного аналізу змішаних плазмон-LO-фононних мод розроблена кількісна методика визначення концентрації і рухливості електронів в n-GaN шарах. Показано високу ефективність резонансної мікро-КРС спектроскопії для встановлення просторових профілів розподілу компонентного складу і деформацій в надтонких квантових шарах багатошарової InGaN/GaN структури. Встановлено, що в епітаксійному InхGa1-хN шарі, вирощеному на сапфіровій підкладці з буферним GaN шаром, утворюються просторово розділені латеральні композиційні неоднорідності, які містять збагаченні індієм нанокластери InGaN. Встановлено, що магніторозбавлені плівки Zn1-хСохO (х = 5 і 15%), вирощені методом молекулярно-променевої епітаксії, є феромагнітними при кімнатній температурі та мають колончатоподібну мікроструктуру. Комплексні оптичні дослідження показали, що іони Со2+ знаходяться в тетраедричному оточенні іонів кисню, тобто заміщують іони Zn2+ в регулярних позиціях вюрцитної структури. Методом мікро-КРС спектроскопії досліджено ефекти структурного розупорядкування в ZnO:N плівках, вирощених методом магнетронного розпилення. В спектрах КРС виявлено смугу при 275 см-1 пов'язану з локальними коливаннями цинку в тетраедричному оточенні, де частина найближчих атомів кисню заміщенні атомами азоту.