Корнійчук П. П. Поверхнево-керована фотопереорієнтація директора НРК 4-н-пентил-4'-ціанобіфенілу в постійному електричному полі.

В дисертації викладено результати комплексного дослідження світлоіндукованої переорієнтації директора нематичного рідкого кристалу (НРК) 4-н-пентил-4'-ціанобіфеніл (5-ЦБ) у зовнішньому постійному електричному полі. Зокрема представлено результати досліджень світлоіндукованого твіст-ефекту, фоторефрактивного ефекту, ефекту прихованої ґратки, а також процесів перерозподілу вільних зарядів в рідкокристалічній комірці та їх впливу на орієнтацію рідкого кристалу. Встановлено, що лазерне світло з довжиною хвилі 440 нм інтенсивністю більше 10 мВт/см2 зменшує напругу твіст-ефекту в постійному електричному полі в комірках, заповнених нематичним рідким кристалом 5-ЦБ. Виявлено та досліджено світлоіндукований твіст-ефект в постійному електричному полі. Встановлено, що в гомеотропно орієнтованому нематичному рідкому кристалі 5-ЦБ у комірках з ІТО електродами внаслідок опромінення їх світлом (модульованим по інтенсивності) записуються фоторефрактивні ґратки. Досліджено основні характеристики цих ґраток (динамічні характеристики, залежності дифракційної ефективності від зовнішнього електричного поля, кута падіння та поляризації тестуючого променя). Перенесення енергії між взаємодіючими променями після проходження ними через фоторефрактивну ґратку свідчить про те, що записана в НРК ґратка зміщена по фазі відносно модульованої інтенсивності світла записуючих променів. Напрямок перенесення енергії, а отже і напрямок зміщення, визначається знаком кута падіння записуючих променів та напрямком зовнішнього електричного поля. Встановлено, що оптимальні параметри запису фоторефрактивних ґраток відповідають параметрам перерозподілу вільних носіїв заряду. Цей зв'язок свідчить про вирішальну роль приповерхневих зарядів у записі ґраток в НРК в постійному електричному полі. Показано, що ефекти світлоіндукованої переорієнтації директора рідкого кристалу в постійному електричному полі виникають внаслідок зменшення заряду подвійного електричного шару на електродах під дією опромінення.