Курочкін О. В. Вплив сегнетоелектричних частинок Sn2P2S6 на властивості нематичних та холестеричних рідких кристалів.

В роботі досліджено основні фазові, орієнтаційні, оптичні та електрооптичні властивості сегнетоелектричних колоїдів, отриманих шляхом внесення незначної кількості сегнетоелектричних частинок Sn2P2S6 в рідкокристалічну матрицю. Показано, що згадані характеристики сегнетоелектричних колоїдів значно відрізняються від характеристик чистого РК. Показано, що внесення сегнетоелектричних наночастинок Sn2P2S6 в однокомпонентну нематичну матрицю 5СВ змінює параметр порядку системи, внаслідок чого змінюються його температура просвітлення, діелектричні константи та двопроменезаломлення. При цьому поведінка сегнетоелектричних частинок схожа на поведінку молекулярних домішок, наслідком чого є універсальна залежність параметра порядку РК 5СВ та колоїдів від приведеної температури. Досліджено, що властивості багатокомпонентних сегнетоелектричних колоїдів значно відрізняються, а саме: в колоїді на основі РК ZLI 4801 значно зростає двопроменезаломлення та діелектрична анізотропія на фоні незначного зменшення параметра порядку та температури просвітлення системи. Експериментально показано, що в індукованому холестеричному РК на основі нематичної матриці ZLI 4801 при внесенні наночастинок Sn2P2S6 відбувається зміна спектральних характеристик та значне зменшення напруги розкручування холестеричної спіралі, що є наслідком зміни двопроменезаломлення та діелектричної анізотропії ХРК.