Братусь О. Л. Електрофізичні та структурні властивості шаруватих систем з нановключеннями кремнію.

У дисертаційній роботі наведені результати комплексних досліджень структурних властивостей нанокомпозинних SiO2(Si) плівок, отриманих методами іонно-плазмового розпилення (IPS) та плазмохімічного осадження з парогазової фази (PE CVD). За допомогою різних методик досліджені основні закономірності трансформації збагачених кремнієм SiOx плівок в нанокомпозитні плівки SiO2(Si), що містять НК Si в діелектричній матриці після високотемпературного відпалу. Нанокомпозитні плівки, отримані PE CVD методом, показують вузький інтенсивний пік ФЛ в діапазоні 1,46 - 1,57 еВ. Встановлено механізм електропровідності нанокомпозитних плівок SiO2(Si), отриманих IPS методом, з послідуючим температурним відпалом. Електропровідність даних плівок здійснюється за механізмом стрибкової провідності із змінною довжиною стрибка, що обумовлено великою кількістю обірваних кремнієвих зв'язків в діелектричній матриці. Визначена концентрація пасток в нанокомпозитних SiO2(Si) плівках, які приймають участь у електропровідності при різному вмісту надлишкового кремнію у вихідних плівках SiOx. Виявлено ефект від'ємної диференційної ємності в МДН структурах з нанокомпозитними плівками SiO2(Si) в якості діелектрика та запропонована фізична модель для його пояснення. Модель базується на паралельному включенні ємності нанокристалів до ємності діелектрика.