Мазілов О. О. Високопольове формування голчатих наноемітерів при низьких температурах

Об'єкт: польові голчаті емітери іонів і електронів. Мета: встановлення фізичних закономірностей формування атомної топографії твердих тіл в сильних електричних полях і підвищення ефективності процесів високопольової обробки поверхні голчатих наноемітерів при низьких температурах. Методи: комп'ютерне моделювання електричних полів, математичне моделювання меж розподілу в оберненому просторі методом молекулярної статики, метод молекулярної динаміки, польова електронна мікроскопія, просвічуюча електронна мікроскопія й низькотемпературна польова іонна мікроскопія. Результати: Вперше були розраховані коефіцієнти підсилення електричного поля над поверхнею наноемітерів, що мають складні багаторівневі конфігурації і також розраховані траєкторії заряджених частинок у таких полях. Встановлено, що при формуванні поверхні твердих тіл навантаженням імпульсним електричним полем відбувається екранування поверхні об'ємним електричним зарядом іонів, які утворюються при високошвидкісному польовому випаровуванні. Вперше з урахуванням поправки на екранування просторовим зарядом визначені граничні механічні навантаження, що витримуються монокристалічними нанооб'єктами. Галузь використання: фізика твердого тіла, нанофізика