Горкавенко Т. В. Вплив температури на електронну структуру в об'ємі та на поверхні кристалів типу алмазу, сфалериту і вюрциту

Дисертаційна робота присвячена теоретичному дослідженню та чисельним розрахункам впливу температури на властивості електронної структури в об'ємі та на поверхні кристалів типу алмазу, сфалериту і вюрциту методом самоузгодженого псевдопотенціалу. Встановлені загальні закономірності температурної залежності одноелектронних рівнів, основних міжзонних переходів та густини електронних станів в гексагональних кристалах GaN, AlN, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdTe, ZnO. Для полярної поверхні (111) ряду кристалів типу А2В6, А3В5 досліджено зонну структуру, локальну густину електронних станів (повну та пошарову), побудовані 3D-зображення та контурні карти розподілу зарядової густини валентних електронів. Досліджена температурна залежність ряду електронних властивостей поверхні (111) Si в температурному інтервалі 0 - 600 К. Чисельні розрахунки проведені самоузгодженим методом псевдопотенціала в моделі шаруватої надгратки. Вказано на можливе використання одержаних результатів в мікро- і оптоелектронних пристроях, таких як еталони випромінювання, генератори нано- та субнаносекундних імпульсів, світлодіоди та ін.