Туровська Л. В. Точкові дефекти та фізико-хімічні властивості кристалів у системах Pb-Ga (In, Tl)-Te, Pb-Sb (Bi)-Te, Pb-Cr (Co, Ni)-Te

На основі запропонованих кристалоквазіхімічних формул, аналізу квазіхімічних реакцій утворення точкових дефектів, методу мінімізації термодинамічних потенціалів та результатів комплексних експериментальних даних досліджено дефектну підсистему як бездомішкового плюмбум телуриду, так і кристалів у системах Pb-Ga (In, Tl)-Te, Pb-Sb (Bi)-Te, Pb-Cr (Co, Ni)-Te. Уточнено вид домінуючих точкових дефектів, їх зарядові стани. У кристалах системи Pb-M-Te (M = Ga, In, Tl) комплекс фізико-хімічних властивостей зумовлений різним зарядовим станом металічної компоненти 1+, 2+, 3+, а тип провідності кристалів PbTe:X (X = Sb, Bi) визначається амфотерною дією легуючої домішки. Домінуючими точковими дефектами у легованих кристалах PbTe:Cr є домішкові дефекти, концентрація яких зростає з ростом вмісту домішки. На основі розроблених кристалоквазіхімічних рівнянь твердих розчинів у системах Pb-Ga (In, Tl)-Te, Pb-Sb (Bi)-Te, Pb-Cr-Te встановлено механізми їх утворення. Визначено залежності концентрації точкових дефектів від величини відхилення від стехіометричного складу в плюмбум телуриді та хімічного складу твердих розчинів, встановлено умови формування матеріалів із наперед заданим типом провідності та концентрацією носіїв заряду.