Севрюкова В. А. Вплив параметрів магнетронного осадження та товщини молібденового шару на структурні перетворення в багатошарових покриттях Mo/Si

Об'єкт: тришарові плівки Si/Mo/Si з товщиною молібденового шару від 0,1 до 30 нм і багатошарові періодичні покриття Mo/Si. Мета: встановлення взаємозв'язку між структурою, морфологією, хімічним складом проміжних фаз багатошарового покриття і параметрами магнетронного осадження для оптимізації режимів виготовлення багатошарових рентгенівських дзеркал Mo/Si. Методи: електронна мікроскопія з високим розділенням поперечних зрізів і в плані, рентгенівський фазовий аналіз, малокутова рентгенівська дифрактометрія з математичним моделюванням малокутових рентгенівських спектрів, вимірювання оптичних характеристик багатошарових рентгенівських дзеркал Mo/Si за допомогою синхротронного випромінювання. Результати: вперше методом темнопольної електронної мікроскопії виявлено, що при малій номінальній товщині шару молібдену 1,5 < tMoном < 1,9 нм, розпиленого методом магнетронного осадження на аморфний кремній, цей шар складається з кластерів розміром 1-2 нм. Показано, що процес переходу з аморфно-кластерного стану в кристалічний відбувається в інтервалі товщини 1,9 < tMoном < 2,5 нм, а не стрибком, як вважалося раніше. У середині даного інтервалу співіснують аморфно-кластерна і кристалічна фази. Галузь використання: фізика твердого тіла, фізика багатошарових систем