Олійник О. В. Фізична кінетика модуляції розподілу вакансій у опромінюваних кубічних кристалах

Проведено чисельний та аналітичний розрахунки енергетичних параметрів "деформаційної" і "електрохімічної" взаємодій вакансій у ГЦК-кристалі. З'ясовано їх поведінку поблизу та вдалині від центру (зокрема, на поверхні) першої Бріллюенової зони оберненого простору ГЦК-ґратниці. Встановлено, що наномасштабний період модуляції структури в розподілі вакансій за спинодальним механізмом (закрита система) збільшується з температурою, що визначається ентропійним чинником, "електрохімічною" взаємодією вакансій та й пружніми властивостями ГЦК-кристалу. Виявлено, що в разі відкритої системи та відсутності зовнішніх флуктуацій швидкості ґенерації радіаційних точкових дефектів типу вакансій і внутрішніх флуктуацій неоднорідності в розміщенні їхніх стоків (дислокацій) в умовах сталості густини дислокацій період трохи зменшується з підвищенням температури, що обумовлено "електрохімічною" взаємодією вакансій. Продемонстровано, що врахування (емпіричної) температурної залежності густини дислокацій призводить до збільшення періоду дисипативної модульованої структури з температурою, що зумовлено ентропійним фактором і "електрохімічною" взаємодією вакансій. Період надґратниці нанопор збільшується з температурою, оскільки визначається лише їх пружньою взаємодією. Кількісно проілюстровано, що із врахуванням зовнішніх флуктуацій ненульової швидкості ґенерації точкових дефектів температурний інтервал стаціонарного існування дисипативної модульованої структури у розподілі густини підсистеми вакансій у ГЦК-кристалі звужується.