Чепугов О. П. Закономірності формування дефектно-домішкового складу на-півпровідникових кристалів алмазу для зондів тунельних мікроскопів

Дисертація присвячена вирішенню науково-технічної задачі по вирощуванню монокристалів алмазу з напівпровідниковими властивостями шляхом дослідження закономірностей формування необхідного дефектно-домішкового складу монокристалів алмазу типу IIb та отримання зразків, придатних для виготовлення зондів для скануючого тунельного мікроскопу. Розглянуто особливості вирощування кристалів в системах Fe-Co-Zr-B-C і Fe-Al-B-C при температурах 1350-1600 °C і тиску 6,0-6,5 ГПа, визначено, що із збільшенням кількості кристалів зменшується швидкість росту окремого кристалу. Встановлено вплив умов вирощування на зонально-секторіальну будову кристалів; показано можливість отримання кристалів з розвитком граней форми {111} до 80 % при проведенні процесу кристалізації в системі Fe-Co-Zr-B-C при температурах понад 1550 °С, а в системі Fe-Al-B-C при температурах понад 1450 °С до 100 %. Показано, що при додаванні B4C в кількості 1 ? 2,5 % за ма-сою концентрація некомпенсованого бору лінійно змінюється від 35 до 87 ppm та від 10 до 25 ppm для секторів росту {111} та {100}, відповідно, а питомий опір для секторів росту {111} таких кристалів зменшується від 3,32·105 до 1,65·104 Ом · см, що дає можливість застосовувати алмази об'єм яких сформований сектором росту {111}, для виготовлення зондів СТМ. Виготовлено дослідну партію зондів з напівпровідниковим алмазним вістрям у формі піраміди Берковича та проведено дослідно-виробничу перевірку.