Вержак Є. В. Вплив термообробки на спектр дефектів кристалів CdTe, легованого донорними домішками

Дисертація присвячена процесам дефектоутворення у кристалах на основі CdTe та їх впливу на властивості матеріалу. Користуючись методом вимірювання високотемпературного ефекту Холла, вперше досліджено часові залежності електричних параметрів кристалів як функцію умов термообробки в процесі її проведення та швидкості зміни температури в ході циклів нагріву-охолодження. Виконано дослідження високотемпературних властивостей та вивчено спектр дефектів слаболегованого індієм CdTe та низькотемпературних - сильнолегованого, що заповнює істотні прогалини в матеріалознавстві CdTe. Визначено оптимальну концентрацію легуючої домішки індію в кристалах CdTe, що дозволяє отримати матеріал з високим опором. Запропоновано модель ансамблю точкових дефектів у кристалах CdTe:Іn при високих і кімнатних температурах, яка дає можливість створити матеріал з низькою концентрацією носіїв заряду. Розроблено відтворювані рецептури двостадійного відпалу зразків CdTe:In для одержання структурно досконалого високоомного матеріалу без видимих у ІЧ мікроскоп включень 2-ої фази. Вперше ґрунтовно було досліджено високотемпературні та низькотемпературні електричні властивості CdTe, сильнолегованого бромом, як під тиском пари кадмію, так і телуру. Одержані для обох донорних домішок результати пояснено в рамках уявлень про домішкову самокомпенсацію індію чи брому.