Бояринцев А. Ю. Процеси пластичної деформації великогабаритних кристалів NaI(Tl) при створенні пластин сцинтиляційних детекторів

У дисертаційній роботі розроблено технологічний процес створення однорідних полікристалів NaI(Tl) великої площі та одержання на їх основі високоякісних детекторів для візуалізації гамма-зображення для систем однофотонної емісійної комп'ютерної томографії (ОФЕКТ). Основними етапами одержання сцинтиляційних детекторів великої площі являються: пресування великогабаритних монокристалів при підвищених температурах; порізка й фінішне оброблення кристала з наданням зразку високої однорідності розподілу світлового виходу. Для створення матеріалу з однорідними сцинтиляційними характеристиками вдосконалено спосіб високотемпературного деформування. Визначено структурну неоднорідність кристала, що викликана особливостями пластичного плину й напружено-деформованого стану. Виявлені оптимальні умови застосування методу багаторазових повторних релаксацій, які забезпечують фізичну цілісності матеріалу великої площі. Для формування заданої функції розподілу світла по всій поверхні детектора, виявлено, що зміна метода оброблення поверхні кристала дозволяє варіювати шириною функції розподілу світла в межах до 30 мм. Використання матеріалів з різними коефіцієнтами відбиття забезпечують зміну величини виходу світла по периметру детектора від +12% до -6% у порівнянні зі середньостатистичним виходом світла в центральній області детектора.