Пилипчук О. С. Гальваномагнітні явища в селективно легованих гетероструктурах AlGaAs/GaAs та InGaAs/GaAs.

Експериментально досліджені механізми переносу носіїв струму в квантових ямах селективно легованих багатоперіодних структур AlGaAs/GaAs/AlGaAs та GaAs/InGaAs/GaAs з одиночними та тунельно-зв'язаними ямами. Дослідження проведені в діапазоні температур 4-300 К, у рівноважних умовах та при розігріві носіїв латеральним електричним полем. Досліджені температурні залежності ефекту Холла, провідності, польові залежності магнітоопору. Встановлено, що при розміщенні легуючої домішки в квантовій ямі латеральна провідність у таких структурах зумовлена провідністю по квантоворозмірних підзонах і по домішковій зоні. Внаслідок цього рухливість в одиночних квантових ямах є малою і збільшується із зростанням концентрації легуючої домішки. Для подвійних тунельно-зв'язаних ям спостерігається провал у температурній залежності холлівської рухливості. Визначено вплив провідності по домішкових дельта-шарах для структур AlGaAs/GaAs/AlGaAs з одиночними квантовими ямами і дельта-легованими бар'єрами на ефекти в магнітних полях. Встановлено, що величина низькотемпературної рухливості електронів у домішкових квантових ямах нижча, ніж в одиночних дельта-ямах. Досліджено вплив ефекту перерозподілу електронів між областями з різною рухливістю електронів на нелінійність вольт-амперних характеристик таких тунельно-зв'язаних пар як "структурна квантова яма - домішкова дельта яма у бар'єрі" та "структурна квантова яма- фрагмент надґратки".