Гуденко Ю. М. Нерівноважні носії заряду в селективно легованих гетероструктурах GeSi/Si та InGaAs/GaAs з квантовими ямами.

Експериментально досліджено явища, пов'язані з нерівноважними носіями заряду в селективно легованих напівпровідникових багатошарових гетероструктурах GeSi/Si та InGaAs/GaAs з одиночними та тунельно-зв'язаними квантовими ямами. В структурах n-InxGa1?xAs/GaAs виявлена довготривала релаксація фотопровідності при міжзонному збудженні. Вона пов'язана з локалізацією та просторовим розділенням фотогенерованих носіїв хаотичним потенціальним рельєфом, зумовленим флуктуаціями складу матеріалу квантових ям. Експериментально показано, що середній час релаксації залежить від температури та електричного поля, а також від амплітуди потенціального рельєфу. Для структур p-GeSi/Si з дельта-легованими ямами виявлена залишкова фотопровідність, яка пояснюється захопленням фотозбуджених носіїв на дефектні пастки в бар'єрах. Одержані експериментальні дані щодо довжини біполярного дрейфу та рухливості нерівноважних фотогенерованих носіїв заряду. В дисертації представлені результати досліджень залежності енергії іонізації мілкої акцепторної домішки бору та радіуса локалізації носіїв заряду від положення домішки в ямі. Проведені дослідження розігріву носіїв у квантових ямах гетероструктур n-InxGa1?xAs/GaAs латеральним електричним полем. Виявлені особливості електричного транспорту та випромінювання гарячих носіїв. Експериментально встановлено, що випромінювання носіїв при внутрішньозонних непрямих оптичних переходах поляризується переважно вздовж напрямку поля. Це пояснюється асиметрією функції розподілу носіїв в електричному полі.